[发明专利]用于集成电路器件的碳纳米管基传导连接

权利要求书

1.一种集成电路布置(200、400)，包括：

集成电路管芯(210、410)；以及

碳纳米管基复合导体(100、105、240、250、300、320、340、420)，被配置和设置成用于电连接集成电路布置的电学部件。

2.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括以下至少一种：单壁碳纳米管；多壁碳纳米管；碳纳米管矩阵；碳纳米管粉尘；以及碳纳米管复合混合物。

3.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括：非碳纳米管材料；以及与所述非碳纳米管材料相关联的碳纳米管材料，并且被配置成用于在所述集成电路管芯和外部电路中导电。

4.根据权利要求3所述的布置，其中，所述非碳纳米管材料是金属。

5.根据权利要求3所述的布置，其中，所述非碳纳米管材料是陶瓷。

6.根据权利要求3所述的布置，其中，所述非碳纳米管材料是有机材料，被配置成保持所述碳纳米管材料。

7.根据权利要求3所述的布置，其中，所述碳纳米管材料是通过按照与非碳纳米管材料的物理交互布置的结构与所述非碳纳米管材料相关联的碳纳米管材料。

8.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体被配置和设置成用于将所述集成电路管芯与外部电路相连。

9.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体被配置和设置成使得由所述导体通过的电流的主要部分是经由导体中的碳纳米管通过的。

10.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括在金属核心外部表面上具有碳纳米管材料的金属核心。

11.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体包括在碳纳米管核心外部表面上具有金属材料的碳纳米管核心。

12.根据权利要求1所述的布置，其中，所述碳纳米管基复合导体按照接合线类型的连接方法将所述集成电路管芯与外部电路相连。

13.一种集成电路布置(400)，包括：

集成电路衬底(410)；以及

所述衬底中的碳纳米管基复合互连(420)，被配置和设置成用于电连接所述集成电路布置的电学部件，所述互连包括与非碳纳米管材料相关联的多个碳纳米管。

14.根据权利要求13所述的集成电路布置，其中，所述集成电路衬底是球栅阵列衬底，以及所述互连被配置成用于电连接所述球栅阵列衬底的不同部分中的电路。

15.根据权利要求14所述的集成电路布置，其中，所述互连被配置成与所述球栅阵列衬底中的通路电连接。

16.根据权利要求14所述的集成电路布置，其中，所述互连被配置成与外部电路电连接。

17.一种集成电路接合线连接器布置(100、105)，用于连接集成电路部件，所述接合线连接器布置包括：接合线，所述接合线包括沿所述接合线的长度延伸的金属(130、125)和碳纳米管基(120、135)材料的复合物，所述碳纳米管基材料被配置成用于在集成电路部件之间导电。

18.根据权利要求17所述的布置，其中，所述金属和碳纳米管基材料的复合物包括：延伸所述接合线长度的金属核心；以及多个碳纳米管，包围所述金属核心，并且延伸所述接合线的长度。

19.根据权利要求17所述的布置，其中，所述金属和碳纳米管基材料的复合物包括：延伸所述接合线长度的碳纳米管核心；以及金属材料，包围所述碳纳米管核心，并且延伸所述接合线的长度。

20.根据权利要求17所述的布置，还包括：集成电路管芯；封装衬底；并且其中所述接合线被配置成将所述集成电路管芯与所述封装衬底电连接。

21.一种用于制造接合线布置(100)的方法，所述方法包括：提供具有长度的金属核心(120)材料；沿所述金属核心材料的长度将碳纳米管(130)连接到所述金属核心材料上。