[发明专利]探针头阵列无效
| 申请号： | 200580045719.6 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101095057A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | R·J·汉森;J·M·隆恩 | 申请（专利权）人： | 佛姆法克特股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 探针 阵列 | ||
1.一种对半导体晶片上形成的器件进行测试的接触器，所述接触器包括用于与所述器件上形成的焊点相接触的探针阵列，所述探针阵列包括围绕着所述探针阵列中的开口而设置的多个相邻的DUT阵列，当所述探针阵列接触所述焊点时所述开口位于至少一个器件之上。
2.如权利要求1所述的接触器，其特征在于，所述探针阵列包括至少一个处于DUT阵列中的附加开口，当所述探针阵列接触所述焊点时所述附加开口对着至少一个器件。
3.如权利要求1所述的接触器，其特征在于，所述相邻的DUT阵列形成大致环形的图形。
4.如权利要求1所述的接触器，其特征在于，所述DUT阵列中的开口以4个DUT阵列为边界。
5.一种对半导体晶片上按大致均匀的栅格排列的器件进行测试的探针头，所述探针头包括：
形成于DUT阵列中的多个探针，所述探针大致按具有与器件栅格相同的配置的栅格来排列；以及
形成于DUT阵列中的空间，当所述探针接触所述器件时所述空间对着至少一个器件。
6.如权利要求5所述的探针头，其特征在于，所述探针头包括至少一个附加空间，当所述探针接触所述器件时所述附加空间对着至少一个器件。
7.如权利要求5所述的探针头，其特征在于，所述DUT阵列形成大致环形的图形。
8.如权利要求5所述的探针头，其特征在于，所述空间以4个DUT阵列为边界。
9.一种对半导体晶片上形成的器件进行测试的装置，所述装置包括按大致环形的图形排列的探针DUT阵列。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述环形图形包括开口，并且所述图形包括至少一个附加开口。
11.一种对半导体晶片上形成的器件进行测试的装置，所述装置包括多个DUT阵列，所述多个DUT阵列所排列的图形包括至少一个处于该图形边界之内的开口，在所述开口中没有任何探针DUT阵列。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述探针阵列图形包括至少一个处于该图形边界之内的附加开口，在所述附加开口中没有任何探针DUT阵列。
13.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述图形是大致环形的。
14.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述开口以4个DUT阵列为边界。
15.一种对半导体晶片上形成的器件进行测试的装置，所述装置包括按一种图形排列的多个探针DUT阵列，所述图形的边界具有至少一种局部不连续性。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述局部不连续性是至少一个DUT阵列的凸出。
17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述凸出是由单个DUT阵列形成的。
18.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述凸出具有最小宽度，并且从所述边界起向外延伸不超过最小宽度的两倍。
19.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述边界包括至少一个附加凸出。
20.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述局部不连续性是至少一个DUT阵列的凹入。
21.如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述凹入是由单个DUT阵列构成的。
22.如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述凹入具有最小宽度，并且从所述边界起向内延伸不超过最小宽度的两倍。
23.如权利要求20所述的装置，其特征在于，所述边界包括至少一个附加凹入。
24.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述图形是对称的。
25.如权利要求24所述的装置，其特征在于，所述图形大致是平行四边形的形状。
26.如权利要求25所述的装置，其特征在于，所述图形大致是菱形的形状。
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