[发明专利]通过MOCVD（金属有机化学汽相淀积）法制备ZnO透明导电膜的方法

权利要求书

1.一种制备ZnO透明导电膜的方法，其中将低纯度二乙基锌(Zn(C₂H₅)₂)用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料，其中所述方法包括使用90-99.99％的二乙基锌作为原料和使用水蒸气(H₂O)作为氧化剂，利用作为杂质以0.01-10％的量包含于所述二乙基锌中的三乙基铝(Al(C₂H₅)₃)作为第III族元素添加剂，和加入二硼烷(B₂H₆)作为第III族元素添加剂，以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H₂O)、所述三乙基铝和所述二硼烷经历汽相反应，并从而通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜。

2.一种制备ZnO透明导电膜的方法，其中将低纯度二乙基锌(Zn(C₂H₅)₂)用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料，其中所述方法包括使用99.99-98％的二乙基锌作为原料和使用水蒸气(H₂O)作为氧化剂，利用作为杂质以0.01-2％的量包含于所述二乙基锌中的三乙基铝(Al(C₂H₅)₃)作为第III族元素添加剂，和加入少量的二硼烷(B₂H₆)作为第III族元素添加剂，以使所述二乙基锌、所述水蒸气(H₂O)、所述三乙基铝和所述二硼烷经历汽相反应，并从而通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜。

3.一种制备ZnO透明导电膜的方法，其中将低纯度二乙基锌(Zn(C₂H₅)₂)用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料，其中所述方法包括使用90-98％的二乙基锌作为原料和使用水蒸气(H₂O)作为氧化剂，和利用作为杂质以2-10％的量包含于所述二乙基锌中的三乙基铝(Al(C₂H₅)₃)作为第III族元素添加剂，以在不加入二硼烷(B₂H₆)作为第(III族元素添加剂的情况下，使所述二乙基锌、所述水蒸汽(H₂O)和所述三乙基铝经历汽相反应，并从而通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜。

4.根据权利要求3的通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的方法，其中所述的沉积在基板温度为150-190℃和包含所述二乙基锌的载气对包含所述水蒸气(H₂O)的载气的流速比为0.95-1.05的条件下进行。

5.一种制备ZnO透明导电膜的方法，其中将低纯度二乙基锌(Zn(C₂H₅)₂)用作通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的原料，其中所述方法包括使用99.99-98％的二乙基锌作为原料和使用水蒸气(H₂O)作为氧化剂，和利用作为杂质以0.01-2％的量包含于所述二乙基锌中的三乙基铝(Al(C₂H₅)₃)作为第III族元素添加剂，以在不加入二硼烷(B₂H₆)作为第(III族元素添加剂的情况下，使所述二乙基锌、所述水蒸气(H₂O)和所述三乙基铝经历汽相反应，并从而通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜。

6.根据权利要求5的通过MOCVD(金属有机化学汽相淀积)法制备ZnO透明导电膜的方法，其中所述的沉积在基板温度为160-180℃和包含所述二乙基锌的载气对包含所述水蒸气(H₂O)的载气的流速比为约1.0的条件下进行。