[发明专利]半导体芯片及其制造方法、半导体芯片的电极结构及其形成方法以及半导体装置

权利要求书

1、一种半导体芯片，具备：

半导体基板；

突起，其从该半导体基板的表面隆起且由金属构成；和

合金膜，其覆盖该突起的表面整个区域，由用于构成上述突起的金属和其他种类的金属所形成的合金构成。

2、根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，

上述突起由金形成，

上述合金膜由金和钛、铝、镍或钴的合金形成。

3、一种半导体芯片的制造方法，具备：

突起形成工序，其形成从半导体基板的表面隆起且由金属材料构成的突起；

金属膜形成工序，其在形成有上述突起的上述半导体基板的表面整个区域，形成由与用于构成上述突起的金属可合金化的其他种类的金属构成的金属膜；

合金化工序，其在该金属膜形成工序后，对上述半导体基板进行热处理，而使用于构成上述突起的金属和用于构成上述金属膜的金属合金化；和

去除工序，其在该合金化工序后，对上述金属膜未被合金化的部分进行蚀刻后去除。

4、一种半导体芯片，具备：

包括多层布线的基板；

电极焊盘，其形成在该基板的表面且与上述多层布线连接；

保护膜，其对上述电极焊盘的周围的上述基板进行覆盖；

绝缘膜，其形成在上述保护膜之上；

突起，其形成在以上述电极焊盘为底面且其侧面由上述绝缘膜围住的区域上，由金属构成；和

阻挡层，其设置在上述突起的侧壁和上述绝缘膜之间。

5、根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，

上述突起由金形成。

6、根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于，

上述阻挡层，由从Ti、W、Si、Ni、Co、Al、TiW或NiCo所构成的组中选择的一个以上的金属或合金形成。

7、一种半导体芯片的电极结构，具备：  

电极焊盘，其形成在包括多层布线的基板的表面，且与上述多层布线连接；

保护膜，其对上述电极焊盘的周围的基板进行覆盖；

绝缘膜，其形成在上述保护膜之上；

突起，其形成在以上述电极焊盘为底面且其侧面由上述绝缘膜围住的区域上，且由金属构成；和

阻挡层，其设置在上述突起的侧壁和上述绝缘膜之间。

8、根据权利要求7所述的半导体芯片的电极结构，其特征在于，

上述突起由金形成。

9、根据权利要求7所述的半导体芯片的电极结构，其特征在于，

上述阻挡层，由从Ti、W、Si、Ni、Co、Al、TiW或NiCo所构成的组中选择的一个以上的金属或合金形成。

10、一种半导体芯片的电极结构的形成方法，具备：

在包括多层布线的基板的表面上形成与上述多层布线连接的电极焊盘后，利用保护膜对上述电极焊盘的周围的上述基板进行覆盖的工序；

在上述电极焊盘上形成金属性的突起的工序；

利用阻挡层对上述突起及上述电极焊盘的露出面进行覆盖的工序；

除了上述突起的侧面之外，对上述阻挡层选择性地进行去除的工序；和

按照使上述突起的上面露出的方式在上述保护膜上形成绝缘膜的工序。

11、根据权利要求10所述的半导体芯片的电极结构的形成方法，其特征在于，

使用金作为用于形成上述突起的材料。

12、根据权利要求10所述的半导体芯片的电极结构的形成方法，其特征在于，

作为用于形成上述阻挡层的材料，使用从Ti、W、Si、Ni、Co、Al、TiW或NiCo所构成的组中选择的一个以上的金属或合金。

13、一种半导体装置，将半导体芯片与固体装置的表面接合，上述半导体芯片是权利要求1或2所述的半导体芯片。

14、根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，包括各向异性导电膜，其介于上述半导体芯片和上述固体装置之间。