[发明专利]用于亚微米光学光刻构图的透镜光纤阵列无效
申请号: | 200580044584.1 | 申请日: | 2005-11-04 |
公开(公告)号: | CN101088048A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 杰罗姆·C·波尔奎 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁晓广;陆锦华 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 微米 光学 光刻 构图 透镜 光纤 阵列 | ||
1.一种曝光系统,包括:
波导管阵列,用于引导光以对辐射敏感材料进行构图,其中,所述波导管阵列包括多个波导管;以及
光调制器,用于独立地对耦合进所述波导管阵列的多个波导管的光进行调制。
2.根据权利要求1所述的曝光系统,其中所述多个波导管的每个包括光纤和在块状光学材料中形成的波导管中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的曝光系统,其中,所述波导管阵列的多个波导管的每个包括:
光输入端,其包括平形、凸形和凹形中的至少一种;以及
光输出端,其包括平形和凸形中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的曝光系统,其中,所述波导管阵列的多个波导管的每个包括耦合于光输入端的第一透镜和耦合于光输出端的第二透镜中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的曝光系统,进一步包括平台,用以相对于所述波导管阵列对衬底进行平移和旋转中至少其一,其中,所述辐射敏感材料设置在所述衬底上。
6.根据权利要求5所述的曝光系统,其中,所述波导管阵列进一步包括:
至少第一波导管;以及
至少第一光学检测器,其中,所述的至少第一波导管和至少第一光学检测器追踪位置和速率变化中的至少一种。
7.根据权利要求2所述的曝光系统,其中,所述波导管阵列进一步包括:
多个波导管;以及
多个光学检测器,其中,所述多个波导管和多个光学检测器被定位,以对波导管阵列和辐射敏感材料之间的相对对准和辐射敏感材料的构图这两者中的至少一个进行追踪。
8.根据权利要求1所述的曝光系统,其中,所述波导管阵列包括多个壳体,并且所述多个波导管被安装在所述多个壳体内。
9.根据权利要求1所述的曝光系统,其中所述光调制器包括:
光源;
空间光调制器;以及
微透镜阵列。
10.根据权利要求1所述的曝光系统,其中,所述光调制器包括多个独立调制的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)、多个独立调制的激光二极管、以及多个独立调制的发光二极管中的至少一种。
11.一种光刻方法,包括:
将已调制光耦合进多个光纤中;
利用所述多个光纤,将已调制光聚焦在设置于衬底上的光敏材料上;以及
通过相对于所述多个光纤来对所述衬底进行平移和旋转中的至少一种,将期望图形写入该光敏材料中。
12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:对所述多个光纤进行定向,以使得通过所述多个光纤中的一个以上的光纤来写入期望图形的特征。
13.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:对所述衬底和所述多个光纤的至少其一进行旋转以控制写入的图形的间距。
14.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:在光敏材料内写入期望图形之前,调整所述多个光纤中的至少一个的位置,以将测量信号最大化。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,在光敏材料内写入期望图形之前调整所述多个光纤中的至少一个的位置以将测量信号最大化的步骤包括:
对从所述多个光纤中的至少一个已调整光纤中出射的光的振幅进行追踪;
对从表面反射的光的振幅进行追踪;以及
对耦合回所述多个光纤中的至少一个已调整光纤内的光的振幅进行追踪。
16.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:通过将光耦合进至少一个光纤内,维持所述多个光纤和光敏材料之间的相对对准。
17.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:通过将光耦合进至少一个光纤内,对期望图形在光敏材料内的写入进行监视。
18.根据权利要求11所述的方法,其中,利用所述多个光纤将空间调制光聚焦在设置于衬底上的光敏材料上的步骤包括:通过与所述多个光纤中的每个的端部相耦合的透镜,将空间调制光聚焦。
19.根据权利要求11所述的方法,进一步包括:在写入期望图形期间,对对准、聚焦和位置中至少一个的误差进行修正。
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