[发明专利]抗蚀剂保护膜形成用材料及使用该材料的抗蚀剂图案形成方法

权利要求书

1、一种抗蚀剂保护膜形成用材料，所述抗蚀剂保护膜形成用材料用于形成抗蚀剂膜的上层保护膜、含有可溶于碱的聚合物成分，其特征在于，所述聚合物成分与水的接触角为90°以上。

2、如权利要求1所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述抗蚀剂膜是用于液浸曝光处理的抗蚀剂膜。

3、如权利要求1所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述聚合物成分为丙烯酸类聚合物。

4、如权利要求3所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物至少含有(甲基)丙烯酸构成单元与下述通式(1)表示的丙烯酸酯构成单元，

式中，R’表示氢原子、甲基或碳原子数为1～4的羟基烷基，R^m表示碳原子数为1～5的直链状或支链状的亚烷基，R^f表示氢原子或碳原子数为1～15的烷基，该烷基的部分或全部氢原子可以被氟原子取代。

5、如权利要求4所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物是在所述(甲基)丙烯酸构成单元与所述通式(1)表示的构成单元上加成作为第三构成单元的下述通式(2)表示的至少1种丙烯酸酯构成单元而形成的，

式中，R为氢原子或甲基，R”是碳原子数为4～15的脂环式烃基。

6、如权利要求5所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述通式(2)中，R”由具有R”^a或R”^b的至少2种构成单元构成，所述R”^a为多环式烃基，R”^b为单环式烃基。

7、如权利要求6所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述多环式烃基为选自二环戊基、金刚烷基、降冰片烷基、异冰片基、三环癸基及四环十二烷基中的至少1种烃基。

8、如权利要求6所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述单环式烃基为选自环己基、环戊基及环庚基中的至少1种烃基。

9、如权利要求5所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物是在所述(甲基)丙烯酸构成单元与所述通式(1)表示的构成单元与所述通式(2)表示的构成单元上加成作为第四构成单元的下述通式(3)表示的至少1种丙烯酸酯构成单元而形成的，

式中，R为链式烃基。

10、如权利要求9所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述链式烃基为选自正丁基、正戊基、2-乙基己基及正己基中的至少1种烃基。

11、如权利要求3所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物用下述通式(4)表示，

式中，q、r、s、t及u表示各构成单元的含有摩尔％，分别为2～60摩尔％。

12、如权利要求1所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述抗蚀剂保护膜形成用材料还含有溶剂。

13、如权利要求12所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述溶剂为醇类溶剂。

14、如权利要求1所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述抗蚀剂保护膜形成用材料还含有交联剂。

15、如权利要求14所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述交联剂为被羟烷基及/或烷氧基烷基取代的具有氨基及/或亚氨基的含氮化合物。

16、如权利要求1所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述抗蚀剂保护膜形成用材料还含有酸性成分。

17、如权利要求16所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述酸性成分为碳氟化合物。

18、如权利要求2所述的抗蚀剂保护膜形成用材料，其特征在于，所述液浸曝光处理在使光刻曝光光到达抗蚀剂膜为止的通过路径的至少所述抗蚀剂膜上存在折射率比空气高且折射率比所述抗蚀剂膜低的规定厚度的液浸曝光用液体的状态下，曝光所述抗蚀剂膜，使抗蚀剂图案的析像度提高。

19、一种抗蚀剂图案形成方法，其中，所述方法使用液浸曝光处理，所述方法包括下述步骤：

在基板上形成抗蚀剂膜，

在所述抗蚀剂膜上使用权利要求1所述的抗蚀剂保护膜形成用材料形成保护膜，

在层叠有所述抗蚀剂膜与所述保护膜的所述基板的至少所述保护膜上直接配置规定厚度的所述液浸曝光用液体，

间隔所述液浸曝光用液体与所述保护膜选择性地对所述抗蚀剂膜照射光，根据需要进行加热处理，

通过使用碱显影液显影处理所述保护膜与所述抗蚀剂膜，除去所述保护膜，同时得到抗蚀剂图案。