[发明专利]包括流体存储和分配容器的动态流体监测的流体存储和分配系统无效
申请号: | 200580043996.3 | 申请日: | 2005-10-24 |
公开(公告)号: | CN101268546A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·迪茨;史蒂文·E·毕晓普;詹姆斯·V·麦克马纳斯;史蒂文·M·卢尔科特;迈克尔·J·沃德延斯基;罗伯特·凯姆;小弗朗克·迪梅奥 | 申请(专利权)人: | 高级技术材料公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44;H01L21/31;C23C16/30 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 流体 存储 分配 容器 动态 监测 系统 | ||
1. 一种在包括从流体供应容器中分配流体的操作期间用于监测在所述流体供应容器中的流体的监测系统,所述监测系统包括:(i)一个或多个传感器,用于监测所述流体供应容器的或从所述流体供应容器中所分配的流体的特性,(ii)数据获取模块,可操作性地与所述一个或多个传感器连接以从其中接收监测数据并响应性地产生与由所述一个或多个传感器监测的特性相关的输出,以及(iii)处理器和显示器,可操作性地与所述数据获取模块连接并被安排处理来自数据获取模块的输出以及响应性地将所述流体供应容器中的流体的图示输出出来。
2. 根据权利要求1所述的监测系统,其中,所述一个或多个传感器监测所述流体供应容器的特性。
3. 根据权利要求2所述的监测系统,其中,所述流体供应容器的特性是在所述容器的结构元件的张力。
4. 根据权利要求3所述的监测系统,其中,所述容器的结构元件包括所述容器壁。
5. 根据权利要求3所述的监测系统,其中,所述一个或多个传感器包括张力计。
6. 根据权利要求4所述的监测系统,其中,所述一个或多个传感器包括以张力感测关系固定到所述容器壁的张力计。
7. 根据权利要求1所述的监测系统,其中,所述一个或多个传感器监测从所述流体供应容器中分配的流体的特性。
8. 根据权利要求7所述的监测系统,其中,从所述流体供应容器中所分配的流体的特性包括:选自于由流体压强、流体温度、所述流体的一种或多种成分的浓度、所述流体的流速、在与所述流体供应容器连接的流动线路中的压降、以及从所述流体供应容器中所分配的累积的流体流速组成的组中的至少一种流体特性。
9. 根据权利要求7所述的监测系统,其中,从所述流体供应容器中分配的流体的所述特性包括流体压强。
10. 根据权利要求1所述的监测系统,其中,所述流体供应容器包含对于所述流体具有吸附性亲和力的吸附剂介质。
11. 根据权利要求1所述的监测系统,其中,所述流体供应容器包括:置于所述容器内部并被设置为用于从所述容器中分配流体的设定值的压强调节器。
12. 根据权利要求11所述的监测系统,其中,所述压强调节器的设定值是在大气压之下的压强设定值。
13. 根据权利要求1所述的监测系统,其中,所述流体供应容器包含半导体加工流体。
14. 根据权利要求13所述的监测系统,其中,所述半导体加工流体包括选自于由砷化三氢、三氢化磷、三氟化硼、四氟化锗、和四氟化硅所组成的组中的一种流体成分。
15. 根据权利要求1所述的监测系统,其中,在所述流体供应容器中流体的图示包括置于矩形区域的具有上边界线的二维区域,其中所述的矩形区域中的二维区域的上边界线的位置表示在所述容器中的流体存量。
16. 根据权利要求1所述的监测系统,其中,在所述流体供应容器中流体的图示包括气罐类型的测定仪器。
17. 根据权利要求1所述的监测系统,被安排来监测在离子注入机装置中分配的流体。
18. 根据权利要求1所述的监测系统,还包括减压装置在降低圆柱体的内部压强方面具有净效应,从而降低下游压强。
19. 根据权利要求18所述的监测系统,其中,所述减压装置是节流口。
20. 一种在包括从流体供应容器中分配流体过程的操作期间监测所述流体供应容器中流体的方法,所述方法包括:(i)监测所述流体供应容器的或从该容器中所分配的流体的特性,(ii)从所述监测过程中获取数据并响应性地产生与所述监测特性相关的输出,以及(iii)从所述数据获取过程中处理所述输出并响应性地把在所述流体供应容器中流体的图示输出出来。
21. 根据权利要求20所述的方法,其中,所述特性包括所述流体供应容器的特性。
22. 根据权利要求20所述的方法,其中,所述特性包括在所述容器的结构元件中的张力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造