[发明专利]用于消除来自化学蒸汽刻蚀腔的副产品沉积的原位腔清洁制程

权利要求书

1.一种供一基板所用的处理反应室，包含：

一反应室主体，定义一处理区域；

一支持组件，至少部分设置在该反应室主体内，且用以支撑在该处理 区域内的一基板；以及

一等离子体源，其具有一柱状电极以及一接地电极，所述电极定义出 与该处理区域连通的一等离子体区域，其中该接地电极位于该柱状电极的 下方并与该柱状电极间隔开来，该接地电极包括适于容纳该柱状电极的至 少一部分的凹陷部分；其中该柱状电极具有容纳该等离子体区域的扩大部 分，该扩大部分是具有内径的环状构件，该内径由上层部分往下层部分渐 增。

2.如权利要求1所述的反应室，其中该接地电极为一杯状电极。

3.如权利要求1所述的反应室，其中该柱状电极耦接至一射频源、一 直流电源或一交流电源。

4.如权利要求3所述的反应室，其中该柱状电极耦接至一射频源。

5.如权利要求4所述的反应室，其中该接地电极的表面积大于该柱状 电极。

6.如权利要求1所述的反应室，更包含一或多个流体通道，用于流动 热传送媒介通过该支持组件。

7.如权利要求2所述的反应室，其中该杯状电极的表面积大于该柱状 电极。

8.如权利要求3所述的反应室，其中该柱状电极耦接至一微波源。