[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，包括其上形成有硅化物层的第一晶体管和其上没有形成硅化物层的第二晶体管，其中，

该第一晶体管和该第二晶体管中的每一个包括：

形成在半导体衬底的主表面上的栅极绝缘膜上的栅电极；

形成在该栅电极的两个侧面壁上的侧壁；以及

形成在所述半导体衬底的所述主表面中的源极扩散层和漏极扩散层，并且

在所述第一晶体管中，

每个所述侧壁的厚度薄于所述第二晶体管的每个所述侧壁的厚度，

所述源极扩散层和所述漏极扩散层中的每一个具有低浓度杂质扩散层和高浓度杂质扩散层，该高浓度杂质扩散层形成在该低浓度杂质扩散层的内部，并具有高于该低浓度杂质扩散层的杂质浓度的杂质浓度，

当从所述半导体衬底的主表面方向观察时，所述高浓度杂质扩散层的表面和每个所述侧壁的底部处在彼此重叠的位置，并且

仅在所述高浓度杂质扩散层中形成所述硅化物层。

2、根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第二晶体管中的所述源极扩散层和所述漏极扩散层仅由所述低浓度杂质扩散层形成。

3、根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第二晶体管中的所述源极扩散层和所述漏极扩散层由所述低浓度杂质扩散层和所述高浓度杂质扩散层形成。

4、一种包括其上形成有硅化物层的第一晶体管和其上没有形成硅化物层的第二晶体管的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：

在半导体衬底的主表面上的栅极绝缘膜上形成所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个的栅电极；

通过使用该栅电极作为掩膜在所述半导体衬底的所述主表面中形成所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个的低浓度杂质扩散层；

在所述栅电极的侧面壁上形成所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个的侧壁；

形成覆盖所述半导体衬底的整个表面的绝缘膜；

对所述绝缘膜进行选择性蚀刻处理，执行该选择性蚀刻处理，从而除去覆盖所述第一晶体管的所述绝缘膜，并且保留覆盖所述第一晶体管的所述绝缘膜；

在所述第一晶体管中，通过使用所述栅电极和所述侧壁作为掩膜在所述低浓度杂质扩散层的内部形成高浓度杂质扩散层，每个所述高浓度杂质扩散层具有高于每个所述低浓度杂质扩散层的杂质浓度的杂质浓度；

在所述半导体衬底的所述主表面上形成覆盖所述第一晶体管和所述第二晶体管的金属膜，并且通过将该金属膜与所述半导体衬底反应来形成硅化物；并且

通过选择性除去未反应的金属膜形成具有仅形成在所述第一晶体管的所述高浓度杂质扩散层中的硅化物的硅化物层。

5、根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，进一步包括在形成所述绝缘膜的步骤之前通过利用所述第二晶体管中的所述栅电极和所述侧壁作为掩膜在所述低浓度杂质扩散层内部形成高浓度杂质扩散层的步骤，其中每个所述高浓度杂质扩散层具有高于每个所述低浓度杂质扩散层的杂质浓度的杂质浓度。

6、根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中对所述绝缘膜所进行的蚀刻处理是湿法蚀刻。

7、根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中所述金属膜是从钛、钴和镍构成的组中选择的一种。