[发明专利]打印头

权利要求书

1.一种流体滴喷射系统，包括：

在存储区域与喷嘴之间延伸的流动路径，所述流动路径包括泵室，在所述泵室中对流体加压以喷出流体滴；以及

定位成与所述流动路径流体接触且包括半渗透性氮化物的膜，并且所述膜在室温下对He具有至少大约1.6×10^-8mols/(m²Pa-s)的渗透率。

2.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述膜包括微裂纹结构。

3.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述膜是多孔的。

4.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述膜包括与所述流动路径流体接触的第一表面以及与真空区域接触的第二表面。

5.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述膜可渗透气体而不可渗透液体。

6.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述膜可渗透空气。

7.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述膜基本不可渗透所述流体滴喷射系统中所用的墨。

8.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述氮化物包括氮化硅。

9.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中所述膜经过了暴露于反应离子刻蚀剂的步骤。

10.根据权利要求1所述的流体滴喷射系统，其中进一步包括多个流动路径。

11.一种流体滴喷射系统，包括：

在存储区域与喷嘴之间延伸的流动路径，所述流动路径包括泵室，在所述泵室中对流体加压以喷出流体滴；以及

定位成与所述流动路径流体接触的膜，该膜在室温下对He具有大约1×10^-10mols/(m²Pa-s)到大约1×10^-6mols/(m²Pa-s)的渗透率。

12.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜包括微裂纹结构。

13.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜包括与所述流动路径流体接触的第一表面以及与真空区域接触的第二表面。

14.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜还可渗透空气。

15.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜基本不可渗透液体。

16.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜基本不可渗透所述流体滴喷射系统中所用的墨。

17.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜包括氮化硅。

18.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜经过了暴露于反应离子刻蚀剂的步骤。

19.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中所述膜在室温下对He具有小于大约1.6×10^-8mols/(m²Pa-s)的渗透率。

20.根据权利要求11所述的流体滴喷射系统，其中进一步包括多个流动路径。

21.一种流体滴喷射系统，包括：

在存储区域与喷嘴之间延伸的流动路径，所述流动路径包括泵室，在所述泵室中对流体加压以喷出流体滴；以及

定位成与所述流动路径流体接触的膜，该膜具有横截面尺寸不大于大约100nm的裂纹结构.

22.根据权利要求21所述的流体滴喷射系统，其中所述膜包括与所述流动路径流体接触的第一表面以及与真空区域接触的第二表面。

23.根据权利要求21所述的流体滴喷射系统，其中所述膜可渗透气体而不可渗透液体。

24.根据权利要求21所述的流体滴喷射系统，其中所述膜可渗透空气。

25.根据权利要求24所述的流体滴喷射系统，其中所述膜基本不可渗透所述流体滴喷射系统中所用的墨。

26.根据权利要求21所述的流体滴喷射系统，其中所述膜包括氮化硅。