[发明专利]用于改变光的极化状态的方法和装置

权利要求书

1.一种利用磁单轴晶体改变光的极化状态的方法，其中所述晶体首先具有特定的多畴结构，光穿过所述晶体的预定区域，并且在所述晶体(1)上施加磁场强度为H1的磁场脉冲，其中在所述磁场强度H1下，所述晶体(1)转变到可逆的单畴状态，其特征在于，在晶体(1)转变到可逆的单畴状态之后，在所述晶体(1)上施加相同极性并且磁场强度为H2的保持磁场，其中所述磁场强度H2小于磁场强度H1，并且保持可逆的单畴状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过减小先前所施加的磁场脉冲的磁场强度来设置保持磁场H2。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述晶体(1)持续施加磁场强度为H2、且极性与强度为H1的磁场脉冲相同的保持磁场。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述保持磁场的磁场强度H2最大为为了达到晶体(1)的可逆单畴状态而需要的磁场脉冲的磁场强度H1的1/3，优选最大为所述磁场强度H1的10％。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在晶体(1)的至少一个已经被可逆地转换极性的区域(5)上施加极性与可逆极性转换磁场脉冲相反的磁场，直到在所述区域(5)中重新建立所述晶体(1)的原始极化。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，畴壁(2)通过在晶体(1)中所产生的非均匀性(6)而保持在预定位置。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，光束穿过晶体(1)的那些通过施加磁场强度为H1的磁场脉冲而转换极性的区域。

8.一种根据权利要求1至7中任一项所述的方法改变光的极化状态的装置，具有由首先具有特定的多畴结构的磁单轴晶体(1)而构成的磁光转子，并且具有至少一个用于产生磁场并对所述晶体(1)施加磁场的装置，包括至少一个用于磁场和磁场脉冲的可控源和用于磁场源的控制电路，其特征在于，所述装置被设置用于产生至少两个不同磁场强度H1、H2的磁场。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述可控制磁场源的控制电路至少具有两个开关状态，所述控制电路控制所述磁场源以产生不同磁场强度H1、H2的磁场或磁场脉冲。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，用于产生磁场并向晶体(1)施加磁场的装置包括至少具有两个开关状态的可控磁场源以及永久磁场源，其中所述可控磁场源在一个开关状态中提供具有比所述永久磁场源的磁场强度H2明显更高的磁场强度H1的磁场脉冲。

11.根据权利要求8或9所述的装置，其特征在于，设置另一可控磁场源，所述另一可控磁场源只对晶体(1)的区域(5)施加磁场或磁场脉冲，其中所述区域对应于被第一磁场源的磁场脉冲转换极性的畴(5)，而且所述另一可控磁场源的极性与磁场强度为H1、H2的磁场或磁场脉冲的极性相反。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的装置，其特征在于，所述晶体(1)具有将畴(3，4，5)固定在预定位置的非均匀性(8)，所述非均匀性优选位于晶体(1)的侧面。