[发明专利]用于半导体存储器的多厚度电介质

权利要求书

1.一种在衬底表面上形成非易失性存储器阵列和阵列电路的方法，所述阵列电路包括高压区和低压区，所述非易失性存储器阵列具有浅沟槽隔离结构，所述方法包含：形成覆盖所述表面的第一多个部分的具有第一厚度的第一二氧化硅层；随后在所述衬底的所述表面上形成包括所述表面的第二多个部分的具有第二厚度的第二二氧化硅层，所述第二厚度小于所述第一厚度；

在所述第二二氧化硅层上方形成第一多晶硅层；

去除所述第一多晶硅层和所述第二二氧化硅层的多个部分，以暴露所述表面的第三多个部分；

在所述表面的所述第三多个部分上方形成第三二氧化硅层；和

随后在所述表面中形成所述浅沟槽隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述表面的所述第一多个部分处于所述高压区内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二多个部分处于所述存储器阵列内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二多个部分处于中压区中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三多个部分处于所述低压区内。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含形成覆盖所述第一多晶硅层的第一氮化硅层并以与去除所述第一多晶硅层和所述第二二氧化硅层的所述多个部分以暴露所述表面的第三多个部分相同的图案去除所述第一氮化硅层的多个部分。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包含形成覆盖所述第一氮化硅层的第二多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包含平面化所述第二多晶硅层，以使得所述第二多晶硅层的覆盖所述表面的所述第一和第二多个部分的部分被去除，且所述第二多晶硅层的覆盖所述表面的所述第三多个部分的部分不被去除。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含去除所述第一氮化硅层并形成覆盖所述第二多晶硅层的第二二氧化硅层。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在形成所述第三多晶硅层之前将杂质植入所述表面的所述第三多个部分中。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一多晶硅层具有约350埃的厚度，所述第二多晶硅层具有约80埃的厚度，且所述第三多晶硅层具有约40埃的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中形成个别浅沟槽隔离结构以代替具有不同二氧化硅层厚度的相邻部分之间的界面区。

13.一种在衬底的表面上形成存储器系统的方法，所述衬底包括存储器阵列部分和具有高压部分、中压部分和低压部分的外围部分，所述方法包含：

形成覆盖所述存储器阵列部分和所述中压部分的具有第一厚度的存储器阵列介电层；

形成覆盖所述存储器阵列介电层的浮动栅极层；

形成覆盖所述高压部分的具有第二厚度的高压介电层；

形成覆盖所述低压部分的具有第三厚度的低压介电层；和

随后形成将所述浮动栅极层划分为单独部分的多个浅沟槽隔离结构。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述存储器阵列是具有使相邻浮动栅极分离的浅沟槽隔离结构的NAND阵列。

15.一种将数据存储在存储器阵列中的存储器系统，所述存储器阵列具有包括高压电路和低压电路的外围电路，所述存储器系统包含：

存储器阵列，其具有与浅沟槽隔离结构自对准的多个浮动栅极且具有下伏于所述多个浮动栅极的具有第一厚度的栅极电介质；

高压电路，其带有具有第二厚度的栅极电介质；

中压电路，其带有具有所述第一厚度的栅极电介质；和

低压电路，其带有具有第三厚度的栅极电介质。

16.根据权利要求15所述的存储器系统，其中所述第一厚度为约80埃。

17.根据权利要求15所述的存储器系统，其中所述第二厚度为约400埃。

18.根据权利要求15所述的存储器系统，其中所述第三厚度为约40埃。

19.根据权利要求15所述的存储器系统，其中具有所述第一厚度的所述栅极电介质、具有所述第二厚度的所述栅极电介质和具有所述第三厚度的所述电介质包含二氧化硅。