[发明专利]反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半导体装置的制造方法

权利要求书

1、一种反射型光掩模坯料，其特征在于，所述反射型光掩模坯料具有：

基板、

设置在该基板上的多层反射膜、

包含设置在该多层反射膜上且含有钽和硅的第1光吸收层、以及层叠在该第1光吸收层上且含有氮和氧中的至少一种、钽和硅的第2光吸收层的光吸收性叠层。

2、根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收层在190～260nm的波长的消光系数小于1，且所述第2光吸收层的方块电阻小于50MΩ/□。

3、根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收层含有钽、硅和氮，且含有2～7at％的钽、40～60at％的硅和6～15at％的氮。

4、根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收层含有钽、硅和氧，钽的含量为30～40at％，钽与氧的原子比为1∶1～1∶2。

5、根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收层含有钽、硅、氧和氮，钽的含量为20～40at％，钽与氧的原子比为3∶2～9∶1，钽与氮的原子比为1∶2～3∶2。

6、根据权利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收层含有钽、硅和氧，钽的含量为40～90at％，钽与氧的原子比在3∶5～5∶1的范围。

7、根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收层的表面具有0.6nmRms以下的表面粗糙度。

8、根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第1光吸收层含有6～15at％的硅。

9、根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第1光吸收层和所述第2光吸收层为无定形的。

10、根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述光吸收性叠层在远紫外线区域的反射率为13％以下。

11、一种反射型光掩模，其特征在于，所述反射型光掩模是对权利要求1～10中任一项所述的反射型光掩模坯料的光吸收性叠层进行图案加工而得到的，所述反射型光掩模坯料具有：

基板、

设置在该基板上的多层反射膜、

包含设置在该多层反射膜上且含有钽和硅的第1光吸收层、以及层叠在该第1光吸收层上且含有氮和氧中的至少一种、钽和硅的第2光吸收层的光吸收性叠层。

12、一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：对权利要求11所述的反射型光掩模照射极紫外光，利用其反射光对设置在半导体基板上的极紫外光用抗蚀剂层进行曝光，从而转印图案。