[发明专利]包括调制器的电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及包括调制器的电子器件，所述调制器用于调制载波信号。

背景技术

FRID应答器(FRID transponder，FRID＝射频识别)的使用日益增长，用于向商品、日用品和保密文件(security document)提供能用电子方式读出的信息。因此，它们例如用作生活消费品的电子条形码，作为行李标签用于识别行李，或者作为保密单元，所述保密单元与护照封皮结合并存储认证信息。

在这种情况下，FRID应答器通常按照例如US 5,528,22中描述的方式进行构造。

FRID应答器基本上包括两个元件，天线和硅片安装在一般的载体基片上，并且借助于接触连线彼此电连接。根据预先编程的信息协议，由基站发射的FR载波被反馈给基站，并且在这种情况下，附加的信息项被调制到反馈的信号上。

此外，WO 99/30432描述了具有基本上由有机材料构造的集成电路的FRID应答器，所述集成电路提供了ID码产生器的功能。该FRID应答器由基于传统硅技术的电子器件、有机硅导体以及IC码产生器构成，所述电子器件例如整流二极管(IC＝集成电路)。

另外，DE 101 41 440 C1描述了一种除了天线以外基本上由有机元件构成的FRID应答器。

在这些FRID应答器中，由基站发射的载波信号耦合到FRID应答器的天线谐振电路，接着对感应电压进行整流。整流后的电压提供了FRID应 答器的逻辑IC，逻辑IC驱动了调制晶体管。调制晶体管由逻辑IC用包含比特序列的二进制信号驱动，这样谐振电路的衰减根据二进制信号被调制。作为这结果而变化的天线的辐射性能由基站检测并且作为FRID应答器的响应信号而获得。

这样的FRID应答器的优点是基于有机电子(塑料电子)的电子器件能以显著较低的成本进行制造，这样FRID应答器能用于极便宜的应用。例如作为电子射频标签的FRID应答器能取代条形码。

然而，有机电路明显地慢于传统的基于硅的电路。有机电路的基本构造块是有机场效应晶体管，即所谓的OFET。这些晶体管基于载流子累积原理而不是载流子侵入原理，这导致了与硅晶体管相比较低的开关速度以及不同的开关性能(例如对于AC电压的不适合性)。

这些属性阻碍了这类晶体管在传统多步骤调制方法中的使用。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种特别地用于有机FRID应答器的改进设备，对载波信号进行有效和可靠调制。

根据本发明，该目的是通过一种电子器件实现的，特别是FRID应答器，该电子器件具有用于调制载波信号的调制器，该调制器由至少两个有机场效应晶体管(72，73)构成。

在这种情况下，本发明基于这样的观点：借助于两个或更多有机场效应晶体管，能产生用于调制载波信号的新调制器，该调制器利用了有机场效应晶体管的特定属性和特定开关性能用于调制载波信号。本发明使得用极低的元件费用实现有利的多步骤调制方法称为可能，并因此增加了能被发送的信息的数量。

这里被称为OFET的有机场效应晶体管至少具有三个电极、有机半导体层以及绝缘层。OFET安装在载体基片上，所述载体基片可以形成为聚合物膜。由有机半导体组成的基片形成导电通道，源极和漏极形成所述导电通道的末端部分。导电通道覆盖有绝缘层，其上安装有栅极。导电通道的 导电性能够通过在栅极和源极之间施加栅-源电压U_GS而变化。在有机半导体的情况下，该效果本质上基于所谓的空穴传导，如果在漏极和源极之间施加漏-源电压U_DS，则用作载流子的晶体点阵中的“空穴”就会稠密。结果，漏极和源极之间的导电性增强，在这种情况下，由于OFET的不同功能原理，获得的OFET的反向和正向阻抗也与用传统硅技术制造的晶体管的反向和正向阻抗不同。

有机半导体层包括例如共轭聚合物，例如聚噻吩、聚噻吩乙烯(polythienylenevinylenes)或聚芴衍生物等，它们通过旋涂、刮涂或印刷的应用解决方案得到应用。所谓的“小分子”，即诸如六聚噻吩或并五苯的低聚体，所述低聚体由真空技术进行气相沉积，也适于作为有机半导体层。