[发明专利]带微结构的与时间相关的指示器无效
| 申请号: | 200580041825.7 | 申请日: | 2005-10-05 |
| 公开(公告)号: | CN101091106A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
| 发明(设计)人: | 大卫·约翰·斯金纳;卡尔-海茵茨·罗曼;安东·屈佩尔 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
| 主分类号: | G01K3/04 | 分类号: | G01K3/04 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾红霞;张天舒 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微结构 时间 相关 指示器 | ||
1.一种制品,包括:
基底;以及
流体,在激活所述制品以使所述流体接触所述基底之前,该流体与所述基底分隔开,所述基底是这样:即,使得所述流体能够以依赖时间或者时间和温度的速率沿着所述基底迁移;
所述制品适合提供可测量的变化电学特性,所述电学特性的变化与当所述流体沿着所述基底迁移时所述流体的推进相对应。
2.根据权利要求1所述制品,其中,所述基底具有限定多个沟道的微结构化表面,所述电学特性的变化与当所述流体沿着所述沟道迁移时所述流体的推进相对应。
3.根据权利要求1或权利要求2所述制品,其中,所述可测量的变化电学特性是电容、和/或导电率、和/或电压。
4.根据前述权利要求中的任意一项权利要求所述制品,所述制品还包括导电层,该导电层与所述基底的下述表面相邻,当所述流体沿着所述基底的沟道迁移时,所述表面被所述流体接触。
5.根据权利要求4所述制品,其中,所述流体是导电性流体/电解流体,并且形成电阻器/电源的一部分,所述导电层为所述电阻器/电源提供一个电极,从而所述电阻器/电源的电阻/电压随着当所述流体沿着所述基底迁移时所述流体的推进而变。
6.根据权利要求5所述制品,其中,所述导电层还提供所述电阻器/电源的反电极。
7.根据权利要求2所述制品,其中,所述流体是导电性流体/电解流体,并且形成电阻器/电源的一部分,所述导电层为所述电阻器/电源提供一个电极,从而所述电阻器/电源的电阻/电压随着当所述流体沿着所述基底迁移时所述流体的推进而变。
8.根据权利要求7所述制品,所述制品还包括仅位于所述沟道的底部区域上的导电涂层,以提供所述电阻器/电源的反电极。
9.根据权利要求1至3中的任意一项权利要求所述制品,所述制品还包括:
绝缘层,其与所述基底的下述表面相邻,当所述流体沿着所述基底迁移时,所述表面被所述流体接触;以及
导电层,其与所述制品另一侧上的绝缘层相邻。
10.根据权利要求9所述制品,其中,所述流体是介电流体,并且形成电容器的一部分,所述导电层为所述电容器提供一个电极,从而所述电容器的电容随着当所述流体沿着所述基底迁移时所述流体的推进而变。
11.根据权利要求10所述制品,其中,所述导电层还提供所述电容器的反电极。
12.根据权利要求2所述制品,所述制品还包括:
绝缘层,其与所述基底的下述表面相邻,当所述流体沿着所述基底迁移时,所述表面被所述流体接触;以及
导电层,其与所述制品另一侧上的绝缘层相邻。
13.根据权利要求12所述制品,其中,所述流体是介电流体,并且形成电容器的一部分,所述导电层为所述电容器提供一个电极,从而所述电容器的电容随着当所述流体沿着所述基底迁移时所述流体的推进而变。
14.根据权利要求13所述制品,所述制品还包括在所述沟道上的导电涂层,以提供所述电容器的反电极。
15.根据权利要求6或11所述制品,其中,所述导电层被图案化,以提供两个分离的交错部分,其中的每一个部分形成所述电极中的一个。
16.根据权利要求6或11所述制品,其中,所述导电层被图案化,以提供与所述一个电极相关的多个反电极;所述反电极布置成当所述流体沿着所述基底迁移时被所述流体依次接触。
17.根据权利要求8或14所述制品,其中,所述导电层被图案化,以提供与所述反电极相关的多个电极;所述电极布置成当所述流体沿着所述基底的沟道迁移时被所述流体依次接触。
18.根据权利要求8或14所述制品,其中,所述导电涂层被图案化,以提供与所述一个电极相关的多个反电极;所述反电极布置成当所述流体沿着所述基底的沟道迁移时被所述流体依次接触。
19.根据权利要求1至3中的任意一项权利要求所述制品,所述制品还包括处理器,用于处理所述提供的变化电学特性。
20.根据权利要求19所述制品,其中,所述处理器与射频器件操作连接。
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