[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200580041109.9 | 申请日: | 2005-11-28 |
公开(公告)号: | CN101069285A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 安部宽子;汤川干央;野村亮二;濑尾哲史;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L27/28;H01L51/05 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
具有包含多个存储单元的存储单元阵列的存储器;
用于控制所述存储器的电路;
天线;
在第一方向上延伸的位线;
在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的字线;
设置在所述位线与所述字线之间的材料层,其中所述材料层的相变不可逆地发生,
其中,
所述位线与所述字线的至少一个具有透光性,
所述存储器具有识别表面,利用该识别表面由光学读出装置读出所记录的信息。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,
还包括核对装置,用于将使用无线信号读出记录在所述存储器中的数据而得到的第一数据与通过使用光学读出装置从所述存储器的所述识别表面读出数据而得到的第二数据进行核对。
3.一种半导体器件,包括:
具有包含多个存储单元的存储单元阵列的存储器;
用于控制所述存储器的电路;
天线;
在第一方向上延伸的位线;
在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的字线,
设置在所述位线与所述字线之间的材料层,其中所述材料层的相变不可逆地发生,
其中,
所述位线与所述字线中的至少一个具有透光性,
所述存储器具有由多个不同读出装置读出的一个记录数据。
4.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,
所述材料层的相通过光照射而从第一状态改变到第二状态,从而使所述位线与所述字线之间的电阻发生改变。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,
所述材料层的相通过光照射而从第一状态改变到第二状态,并且该相变可以在所述识别表面读出。
6.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,
所述用于控制所述存储器的电路包含薄膜晶体管。
7.根据权利要求1或3所述的半导体器件,
还包括具有薄膜晶体管的电路,其与所述天线电连接。
8.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其特征在于:
所述用于控制所述存储器的电路、和与所述天线电连接的电路形成在公共基底材料上。
9.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,
所述半导体器件由基底材料和密封材料密封,所述基底材料和所述密封材料中的至少一个具有透光性。
10.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,
所述半导体器件插在基底材料与密封材料之间,所述基底材料和所述密封材料包括树脂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的