[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200580041109.9 申请日: 2005-11-28
公开(公告)号: CN101069285A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 安部宽子;汤川干央;野村亮二;濑尾哲史;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;H01L27/28;H01L51/05
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

具有包含多个存储单元的存储单元阵列的存储器;

用于控制所述存储器的电路;

天线;

在第一方向上延伸的位线;

在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的字线;

设置在所述位线与所述字线之间的材料层,其中所述材料层的相变不可逆地发生,

其中,

所述位线与所述字线的至少一个具有透光性,

所述存储器具有识别表面,利用该识别表面由光学读出装置读出所记录的信息。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,

还包括核对装置,用于将使用无线信号读出记录在所述存储器中的数据而得到的第一数据与通过使用光学读出装置从所述存储器的所述识别表面读出数据而得到的第二数据进行核对。

3.一种半导体器件,包括:

具有包含多个存储单元的存储单元阵列的存储器;

用于控制所述存储器的电路;

天线;

在第一方向上延伸的位线;

在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的字线,

设置在所述位线与所述字线之间的材料层,其中所述材料层的相变不可逆地发生,

其中,

所述位线与所述字线中的至少一个具有透光性,

所述存储器具有由多个不同读出装置读出的一个记录数据。

4.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,

所述材料层的相通过光照射而从第一状态改变到第二状态,从而使所述位线与所述字线之间的电阻发生改变。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述材料层的相通过光照射而从第一状态改变到第二状态,并且该相变可以在所述识别表面读出。

6.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,

所述用于控制所述存储器的电路包含薄膜晶体管。

7.根据权利要求1或3所述的半导体器件,

还包括具有薄膜晶体管的电路,其与所述天线电连接。

8.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其特征在于:

所述用于控制所述存储器的电路、和与所述天线电连接的电路形成在公共基底材料上。

9.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,

所述半导体器件由基底材料和密封材料密封,所述基底材料和所述密封材料中的至少一个具有透光性。

10.根据权利要求1或3所述的半导体器件,其中,

所述半导体器件插在基底材料与密封材料之间,所述基底材料和所述密封材料包括树脂。

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