[发明专利]纳米尺度器件的制造的干涉分析有效

专利信息
申请号: 200580040751.5 申请日: 2005-11-21
公开(公告)号: CN101115971A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: P·K·林玛卡亚拉;T·H·拉弗蒂;A·阿格里;B-J·崔;P·D·苏马克;D·A·巴布斯;V·N·柴斯盖特 申请(专利权)人: 分子制模股份有限公司
主分类号: G01B11/26 分类号: G01B11/26
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 陈炜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 纳米 尺度 器件 制造 干涉 分析
【权利要求书】:

1.一种用于确定两坐标系之间的相对空间参数的系统,所述系统包括:

用于在多个点处感测所述两坐标系之间的相对对准并确定它们之间的相对空间参数的分析系统,且所述相对空间参数包括相对面积和相对形状。

2.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述分析系统还包括多个检测系统,其中每一个检测系统被构造成感测以关于所述两坐标系中的一个的法线的倾斜角度衍射的光能。

3.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述分析系统还包括多个检测系统,其中每一个检测系统被构造成感测含有对应于所述相对对准的信息的光能并响应于此生成信息信号,且所述分析系统还包括被耦合来接收所述信号并响应于此生成控制信号的处理器。

4.如权利要求3所述的控制信号,其特征在于,包括在材料固化期间用于热缩放效应的先验补偿。

5.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述相对空间参数还包括对准和方向。

6.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一坐标系对应于位于第一平面中的第一衬底,且所述第二坐标系对应于位于与所述第一平面隔开的第二平面中的第二衬底。

7.如权利要求6所述的系统,其特征在于,所述第一平面与所述第二平面之间的间隔小于1微米。

8.如权利要求6所述的系统,其特征在于,所述第一平面与所述第二平面之间的间隔部分或完全以刻印流体填充。

9.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一坐标系由设置在第一衬底上的第一组光栅限定,而所述第二坐标系由设置在第二衬底上与所述第一组光栅重叠的第二组光栅限定。

10.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一坐标系由沿第一方向呈周期性的设置在第一衬底上的第一组光栅限定,而所述第二坐标系由在两正交方向上呈周期性的设置在第二衬底上与所述第一组光栅重叠的第二组光栅限定。

11.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一坐标系由设置在第一衬底上的第一组光栅限定,且所述检测系统的一个子集包括照明源和检测器,其中所述源沿一路径引导能量以照射到所述衬底的一个区域上,且所述检测器感测从所述区域返回并沿所述路径传播的能量。

12.如权利要求1所述的系统,其特征在于,所述第一坐标系由设置在第一衬底上的第一组光栅限定,且所述检测系统的一个子集包括照明源和检测器,其中所述源沿一路径引导能量以照射到所述第一组光栅上,从而形成第一级衍射能,且检测器被构造成感测沿所述路径传播的所述第一级衍射能。

13.一种用于确定两坐标系之间的相对空间参数的方法,所述方法包括:

沿第一方向改变所述两坐标系之间的距离,同时沿与所述第一方向正交的第二方向在多个点处确定所述两坐标系之间的相对对准,以确定所述两坐标系之间在沿所述第一方向的不同距离处的相对空间参数。

14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,确定所述两坐标系之间的相对对准是沿与所述第一和第二方向都正交的第三方向的。

15.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述确定空间参数包括确定对准、放大和偏斜参数。

16.如权利要求13所述的方法,其特征在于,确定所述两坐标系之间的相对对准还包括感测以关于所述两坐标系中的一个的法线的倾斜角度衍射的光能。

17.如权利要求13所述的方法,其特征在于,确定所述两坐标系之间的相对对准还包括感测以关于所述两坐标系中的一个的法线的倾斜角度衍射并从多个点传播的光能。

18.如权利要求13所述的方法,其特征在于,确定所述两坐标系之间的相对对准在所述距离具有来自基本由4微米和1微米组成的一组大小的与之相关联的大小时发生。

19.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述两坐标系中的一个是模具,而另一个坐标系是晶片,其中确定所述两坐标系之间的相对对准还包括在最终距离处确定相对对准,且在所述模具和所述模板之间限定一体积,且所述体积由聚合材料填充。

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