[发明专利]电极及其相关改进

说明书

发明的技术领域

本发明涉及电极设备和组件、包括电极设备和组件的电子设备及制造它们的方法。

发明的背景

存在被人熟知的具有一定范围的结构和应用的电极。例如，冷阴极电极在照明应用上被发现是有效的，包括用作LCD显示器的背景光的冷阴极日光灯(CCFL)。

熟知的电极可能包括一管状体，该管状体的一端是封闭的，在封闭的一端含有如钼等的发射材料，并附着有一管茎(或片)。

该电极熟知的问题在于，溅射能腐蚀表面，并使得电极的壁变薄。因此，电极壁或者设置于其上的表面覆盖物的寿命可能被限制。

因此，仍存在对于可选择电极或者制造方法的需要。

因此，本发明旨在讨论至少一个不足，该不足与在此讨论的或没有讨论的现有技术相关。

发明概要

根据本发明的第一方面，本发明提供了一种具有发射源器件的电极设备，该发射源器件包括具有活性材料和/或设置成用来接收活性材料的发射表面，其中，电极设备进一步的还包括一活性材料储备腔，该活性材料储备腔用来补充所述源器件发射表面的活性材料和/或用来向所述源器件发射表面提供活性材料。

优选地，电极设备包括具有发射表面的发射源器件，该发射表面包括活性材料，其中，电极设备进一步的包括一个用来补充所述源器件发射表面的活性材料的活性材料储备腔。

优选地，电极设备包括一发射源器件，该发射源器件包括一管状壁，该管状壁提供一中空的管状体并具有内部发射表面，该内部发射表面包括活性材料；

其中，电极设备进一步的包括一用来补充管状壁发射表面的活性材料的活性材料储备腔。

合适地，发射表面的活性材料，优选地管状壁的内表面，提供一电子源。

合适地，储备腔的活性材料以及发射表面的活性材料，优选地管状壁的内表面，实质上是相同的。

合适地，储备腔位于管状体的一端。

合适地，至少储备腔的一部分位于管状体之内。

储备腔可以被设置成封闭管状体的一端，这样，管状体的一端是封闭的。

可选择地，储备腔可被设置成部分地阻隔管状体一端，但是不是完全封闭它，因此，管状体相反的一端是开口的。

合适地，储备腔被设置，这样，在使用中，溅射使得活性材料从储备腔释放，使得活性材料能够沉积在发射源表面，优选地在管状壁的内表面上沉积。来自于储备腔的活性材料因此可在管状壁沉积，以补充发射源表面的活性材料，该活性材料本身通过溅射被耗尽。

在一个实施例中，发射源器件被制造有发射表面，该发射表面不包含活性材料。然后，在使用中，一旦电极在“正常”操作前被密封在灯中，在灯的“正常”操作和/或在预处理操作中，来自于储备腔的活性材料可使得被设置于发射表面。

在这种设置中，而不是分别覆盖源器件的发射表面，设备可被这样设置，因此，储备腔中的溅射允许储备腔来提供发射表面的最初覆盖层，同样补充使用中的覆盖物。

如果最初的覆盖层在“正常”使用中提供，器件可被多维化，以确保溅射发生在储备腔中。

如果最初的覆盖层在预处理过程中提供，那么在操作中，差分交流频率和/或较高电压和/或较高的压降可在灯中使用，以确保溅射和覆盖发生。

与其他金属相比，活性材料可包括具有高活性的金属，并可能已经改进电子发射特性，这归功于该金属具有低工作功能和/或较高的电子传导性。合适地，活性材料包括低工作功能材料。

活性材料可包括一种或多种钼，钨，钡，铝，钡-铝合金，或其他合适地元素或合金。活性材料优选地包括钡和/或铝。合适地，活性材料包括钡-铝合金。活性材料合适地包括钡和/或铝高含量的合金，所述合金可进一步地包括钼和/或镍。

活性材料可包括包含有水银的合金。合适地，活性材料包括包含有钡的合金，例如钡-铝合金以及水银。活性材料可包括Ba-Al和Hg合金。在使用中，水银的内含物，通过与钡(Ba)的反应，可抵消与在灯内移除水银(Hg)有关的困难。因此，这种合金的使用可改变灯的亮度和/或效能。

活性材料可包括金属氧化物，优选地钡和/或铝氧化物。活性材料可包括钡氧化物，该钡氧化物通过氧化钡碳酸盐制造。活性材料可包括基础材料(basematerial)上的覆盖层，该覆盖层通过向预处理操作中应用碳酸盐和施加电极设备，以将碳酸盐氧化成氧化物而形成。

合适地，发射源器件发射表面，优选地管状壁的表面的活性材料，用作载体基础金属的覆盖层，并包括具有比所覆盖的金属高活性的金属。