[发明专利]与带电粒子接触的表面保护无效
申请号: | 200580039915.2 | 申请日: | 2005-10-11 |
公开(公告)号: | CN101061435A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | R·B·格兰特 | 申请(专利权)人: | 英国氧气集团有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张轶东;韦欣华 |
地址: | 英国英格*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带电 粒子 接触 表面 保护 | ||
1.一种保护表面避免由于受带电粒子冲击而被损害的方法,该方法包括以下步骤:在该表面暴露于该带电粒子期间,将碳源提供到该表面用于在该表面上形成碳质沉积物涂层,以及控制沉积物在该表面上的沉积速率和带电粒子冲击该沉积物的速率之中的至少一种,以主动地控制该涂层厚度。
2.根据权利要求1中所述的方法,其中通过控制所述表面处碳源的分压来控制所述沉积速率。
3.根据权利要求2中所述的方法,其中所述碳源的分压是通过控制将所述碳源供给所述表面的速率来控制的。
4.根据权利要求2或3中所述的方法,其中监测所述涂层厚度并且根据所述涂层厚度的变化而改变所述碳源的分压。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述碳源是有机分子源。
6.根据权利要求5中所述的方法,其中所述碳源选自一氧化碳、烷烃类、炔烃类、烯烃类、芳基氧化物类、芳族化合物、含氮物质和含卤素物质。
7.根据权利要求6中所述的方法,其中所述氧化物类包括醇类、酯类和醚类。
8.根据权利要求6或7中所述的方法,其中所述含氮化合物包括胺类、吡咯及其衍生物、以及吡啶及其衍生物。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的方法,其中所述含卤素化合物包括饱和的氢化芳基、不饱和的氢化芳基、饱和的氢化烷基、不饱和的氢化烷基。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述冲击速率是通过控制将带电粒子供给所述涂层的速率来控制的。
11.根据权利要求10中所述的方法,其中所述带电粒子的供给速率是通过在与所述沉积物碰撞之前选择性地中和一些带电粒子来控制的。
12.根据权利要求11中所述的方法,其中所述带电粒子是通过在与所述沉积物碰撞之前使所述带电粒子穿过一种气体来选择性地中和的。
13.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中所述带电粒子是由位于放置所述表面的腔中的带电离子源发射的。
14.根据权利要求13中所述的方法,其中所述带电粒子源是在所述腔内产生的等离子体。
15.根据权利要求13或14中所述的方法,其中电磁辐射也由所述带电粒子源产生,用于促进碳质沉积物在所述表面上的沉积。
16.根据权利要求15中所述的方法,其中所述电磁辐射是极远紫外线辐射。
17.根据权利要求13-16中任一项所述的方法,其中所述表面是用于从所述腔发射极远紫外线的窗表面。
18.根据权利要求1-16中任一项所述的方法,其中所述表面是反射面。
19.根据权利要求18中所述的方法,其中所述反射面是多层反射镜的表面。
20.根据权利要求19中所述的方法,其中所述反射镜包括多层,每层包括第一钼层和第二硅层。
21.一种保护位于腔内的表面的方法,其中在该腔内产生极远紫外线(EUV)和带电粒子,该方法包括以下步骤:将碳源供给该腔用于在极远紫外线存在的条件下在该表面上形成碳质沉积物涂层,用带电粒子冲击该涂层以从那里除去沉积物,并且控制该表面上沉积物的沉积速率和带电粒子冲击该沉积物的冲击速率之中的至少一种,以将该涂层厚度保持在预定值或其左右。
22.用于保护表面避免由于受带电粒子冲击而被损害的装置,该装置包括用于将碳源供给该表面以便在该表面暴露于带电粒子期间在该表面上形成碳质沉积物的工具,以及用于控制该表面上沉积物的沉积速率和带电粒子冲击该沉积物的冲击速率之中的至少一种以主动地控制该涂层厚度的工具。
23.根据权利要求22中所述的装置,其中所述控制工具包括用于控制所述碳源在所述表面处的分压的工具。
24.根据权利要求23中所述的装置,其中所述分压控制工具包括用于控制将所述碳源供给所述反射面的速率的工具。
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