[发明专利]用于超声束形成器探头的混合集成电路无效
| 申请号: | 200580039883.6 | 申请日: | 2005-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN101061392A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
| 发明(设计)人: | S·施韦策;S·施米德特;M·巴茨 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G01S7/521 | 分类号: | G01S7/521;G01S15/89;G10K11/34 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 超声 形成 探头 混合 集成电路 | ||
1.一种用于超声探头中微束形成器的混合集成电路封装体,所述超声探头具有用于发射和接收脉冲的换能器元件阵列,所述电路封装体包括:
基板;
用于产生聚焦发射脉冲的驱动电路,该聚焦发射脉冲将被传送到所述换能器元件用于产生发射束;
束形成器电路,包括延时电路和求和电路,所述延时电路可操作地设置成从所述换能器元件接收多个反射脉冲并延迟所述反射脉冲,所述求和电路可操作地设置成对所述延迟的反射脉冲的组进行求和以产生经束形成的信号;
高压集成电路装置,包括所述驱动电路;以及
低压集成电路装置,包括所述束形成器电路的至少一部分,所述高压集成电路和所述低压集成电路安装在所述基板上。
2.权利要求1所述的电路封装体,其中所述高压集成电路装置包括用于将所述发射脉冲与所述反射脉冲隔离的开关。
3.权利要求1所述的电路封装体,其中所述低压集成电路装置包括整个束形成器电路。
4.权利要求1所述的电路封装体,其中所述高压集成电路包括双极晶体管(BPT)或场效应晶体管(FET)。
5.权利要求1所述的电路封装体,其中所述低压集成电路包括互补金属氧化物半导体(CMOS)。
6.权利要求1所述的电路封装体,还包括换能器元件阵列,其中所述阵列直接连接到所述基板。
7.权利要求1所述的电路封装体,其中所述基板是刚性的,所述封装体还包括连接到所述基板的柔性材料。
8.权利要求7所述的电路封装体,还包括换能器元件阵列,其中所述阵列连接到所述柔性材料。
9.权利要求1所述的电路封装体,其中所述基板包括柔性材料。
10.权利要求9所述的电路封装体,其中所述高压集成电路装置和所述低压集成电路装置使用球栅阵列连接到所述柔性材料。
11.权利要求1所述的电路封装体,其中所述高压集成电路装置和所述低压集成电路装置分别使用球栅阵列连接到所述基板。
12.权利要求1所述的电路封装体,其中所述高压集成电路装置、所述低压集成电路装置、以及所述基板以层叠布置连接。
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