[发明专利]电子标签芯片无效
| 申请号： | 200580039855.4 | 申请日： | 2005-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101076887A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 宇佐美光雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L29/786;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子标签 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，是用SOI晶片形成构成电子标签芯片的整流电路的MOS二极管或MOS电容，并除去背面的硅后形成的，在该电子标签芯片的表面和背面具有与天线连接的电极，在布线的侧壁形成上述MOS电容。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：上述MOS二极管的扩散层到达SOI晶片的嵌入氧化膜。
3.一种半导体器件，具有由半导体元件构成的整流电路，将该整流电路的输出作为电源进行动作，其中，
构成上述整流电路的半导体元件被配置在由绝缘物单层构成的支承衬底之上，
上述支承衬底是除去了与元件形成面相反一侧的面的硅部分后的SOI衬底，
在正面和背面具有与天线连接的电极。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：作为上述半导体元件，至少具有电容器元件和二极管元件。
5.一种RFID标签，具有天线端子和连接于该天线端子的整流电路，将该整流电路的输出作为电源并利用电波发射信号，其中，
构成上述整流电路的半导体元件被配置在由绝缘物单层构成的支承衬底之上，
上述支承衬底是除去了与元件形成面相反一侧的面的硅部分后的SOI衬底，
在正面和背面具有与发射上述信号的天线连接的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
