[发明专利]用于柔性印刷布线板的树脂固化膜及其生产方法有效

专利信息
申请号: 200580039566.4 申请日: 2005-11-18
公开(公告)号: CN101068893A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 井上浩文 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: C09D163/00 分类号: C09D163/00;G03C5/00;H05K1/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 刘金辉;林柏楠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 柔性 印刷 布线 树脂 固化 及其 生产 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请是依据35U.S.C.§111(a)提交的申请,依据35U.S.C.§119(e)的规定要求依据35U.S.C.§111(b)于2004年12月6日提交的临时申请60/632,987的申请日的优先权。

技术领域

本发明涉及一种可光固化和热固性的树脂的固化(或硬化)绝缘膜,其在基本不含铜的锡镀层形成之后在用于电子元件的柔性印刷布线板中形成,并且其可通过在优选条件下(例如在能够抑制须晶生长的温度条件下)固化而形成,以及涉及一种具有这种膜的柔性印刷布线板和一种生产这种膜的方法。

现有技术

最近,随着电子器件领域中重量下降、厚度下降、长度下降和小型化的趋势,已经将大量柔性印刷布线板用于电子安装和/或包装。在柔性电路板的技术领域中,随着电子元件的小型化,要求进一步改进电子元件的密度,并且已经使用了许多可光固化和热固性的树脂的树脂固化膜,其中使用可得到精细图案的树脂(例如紫外光固化树脂)。

在柔性印刷布线板上,通常可镀锡以改进焊剂的润湿性和防止布线(conductor pattern)氧化。

作为一种形成其上具有锡镀层的印刷布线板的方法,在将绝缘树脂固化膜提供在其上已形成铜电路的电路板上之后镀锡。在该方法中,在镀敷过程中,镀敷液从树脂固化膜的边缘沿着布线图渗入树脂固化膜的底表面而形成局部电池,从而使那部分中的铜倾向于溶出。此外,当这种柔性电路板弯曲时,应力集中在溶出部分并使电路断裂。

为了解决该问题,提出了一种其中使树脂固化膜在覆盖了非常薄的锡镀层的电路板上形成,然后再次镀锡的方法(JP-A(日本未审专利公开;KOKAI)2001-144145;专利文献1)。然而,在该方法中,在镀敷过程中,镀敷组合物从涂层表面渗入,并使树脂固化膜的颜色改变或者易于使长时间的电稳定性降低。

在其它方法中,使绝缘树脂固化膜在两面均涂覆有锡镀层的电路板上形成。如果锡镀层在镀敷之后留下,则由于导电图案材料对紧邻图案的内应力而生长锡的针状结晶(须晶)。因此,通常可能必须在镀敷之后通过加热处理电路板以抑制须晶。当绝缘树脂固化膜在具有锡镀层的电路板上形成时,热固化过程中的温度条件和抑制须晶生长的温度条件不必相同。相应地,如果在一种温度条件下热处理膜,则不能充分获得其它效果。

在这些情况下,提出了一种使用可在抑制须晶生长的加热条件下固化的树脂组合物来形成印刷布线板的方法。然而,在该方法中,由于将热固性树脂用于电路绝缘膜,难以形成其上已装有精细电子元件的电路板(JP-A6-342969;专利文献2)。

具体而言,作为提供精细图案的绝缘膜,已使用了可光固化和热固性的树脂固化膜。现有的可光固化和热固性的树脂的树脂固化膜通常可能需要在130-150℃下加热30-60分钟而固化。在该固化条件下,因为电路部分中的铜分散在纯的锡镀层中,镀层变得可断裂。因此,当柔性印刷布线板弯曲时,存在的问题是其中分散了铜的镀层断裂并且使电路断开。在另一方面,在抑制须晶生长的固化条件下,即100-130℃和60-150分钟,固化反应并没有充分进行并且可光固化和热固性的树脂固化膜的性能并不好。

(专利文献1)JP-A2001-144145

(专利文献2)JP-A6-342969

发明内容

本发明的目的是提供一种解决了现有技术中遇到的上述问题的柔性印刷布线板。

本发明的另一目的是提供一种柔性印刷布线板,其中通过可光固化和热固性的树脂固化膜保护覆盖有锡镀层的电路并且通过在抑制须晶生长的温度下固化而使铜在锡镀层中的分散降低,该电路板成本低且稳定。

由于为解决上述问题的认真研究,本发明人员发现可通过在覆盖有基本不含铜的锡镀层的柔性印刷布线板中使用用于电子元件的可光固化和热固性的树脂的树脂固化膜而得到其上具有树脂固化膜的柔性印刷布线板,所述固化膜在100-130℃和60-150分钟的抑制须晶的热处理条件下形成,所述树脂固化膜的玻璃化转变温度(在下文中缩写为“Tg”)为80℃或更低。

本发明例如可包括如下实施方案:

一种可光固化和热固性的树脂的绝缘树脂固化膜,其在基本不含铜的锡镀层形成之后在用于电子元件的柔性印刷布线板中形成,其中所述绝缘树脂固化膜在其固化之后的玻璃化转变温度为80℃或更低。

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