[发明专利]光学记录介质、其记录和再现方法及光学记录和再现装置无效
申请号: | 200580038450.9 | 申请日: | 2005-11-07 |
公开(公告)号: | CN101057283A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 八代彻 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/254;G11B7/244;G11B7/257;B41M5/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 记录 介质 再现 方法 装置 | ||
1.一种光学记录介质,依次包括:
第一基底、
第一信息层、
中间层、和
第二基底,
其中第一信息层包括第一记录层,
第二信息层包括第二反射层、含有有机染料的第二记录层和保护层,并且
对应于基于第二记录层中有机染料的热分析DTA峰宽的热解温度范围为45℃或更低。
2.根据权利要求1的光学记录介质,其中,通过对该光学记录介质的第一基底的表面施加光,在第一记录层和第二记录层上进行记录和再现信息中的至少任何一种。
3.根据权利要求1到2中任何一项的光学记录介质,其中第二记录层中的热解温度范围为20℃或更低。
4.根据权利要求1到3中任何一项的光学记录介质,其中热解温度,基于第二记录层中的有机染料的热分析的DTA峰值,为200℃到350℃。
5.根据权利要求1到4中任何一项的光学记录介质,其中第二记录层中的有机染料的最大吸收波长和吸收峰值波长中的至少一种在580nm和620nm的范围内。
6.根据权利要求1到5中任何一项的光学记录介质,其中第二记录层中的有机染料包括选自斯夸鎓金属螯合物的化合物。
7.根据权利要求1到6中任何一项的光学记录介质,其中第二记录层的厚度为50nm到100nm。
8.根据权利要求1到7中任何一项的光学记录介质,其中包括第一记录层的第一信息层是仅仅用于再现,而第一记录层包括反射膜。
9.根据权利要求1到7中任何一项的光学记录介质,其中第一信息层包括具有有机染料的第一记录层和第一反射层。
10.根据权利要求1到9中任何一项的光学记录介质,其中保护层包括ZnS。
11.根据权利要求1到10中任何一项的光学记录介质,其中保护层具有80nm到180nm的厚度。
12.根据权利要求1到11中任何一项的光学记录介质,其中第二反射层包括Au、Al、Ag或基于这些金属的合金。
13.根据权利要求1到12中任何一项的光学记录介质,其中中间层的厚度为40μm到70μm。
14.根据权利要求1到13中任何一项的光学记录介质,其中第二基底包括导向槽,并且该导向槽的深度为20nm到60nm。
15.一种光学记录介质的记录和再现方法,其中通过对权利要求1到14中任何一项的光学记录介质的第一基底的表面施加波长为580nm到720nm的光,在第一记录层和第二记录层上进行记录和再现信息中的至少任何一种。
16.一种记录和再现装置,包括:
光源、和
根据权利要求1到11中任何一项的光学记录介质,
其中通过对该光学记录介质的第一基底的表面施加波长为580nm到720nm的光,在第一记录层和第二记录层上进行记录和再现信息中的至少任何一种。
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