[发明专利]无定形氧化物和场效应晶体管有效
| 申请号： | 200580038273.4 | 申请日： | 2005-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101057339A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 佐野政史;中川克己;细野秀雄;神谷利夫;野村研二 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/428;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无定形 氧化物 场效应 晶体管 | ||
1.一种无定形氧化物，包括微晶体，并且电子载流子浓度为 1012/cm3或更高且低于1018/cm3，
其中，所述微晶体的晶界被无定形结构覆盖，并且
所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从 In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧 化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧 化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
2.一种场效应晶体管，其包括根据权利要求1所述的无定形氧化 物的有源层和形成为经由栅极绝缘体面向该有源层的栅电极。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中该场效应晶体管是 常断类型的晶体管。
4.一种无定形氧化物，其中电子迁移率随着电子载流子浓度的增 加而增大，
所述无定形氧化物包含微晶体，
所述微晶体的晶界被无定形结构覆盖，并且
所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从 In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧 化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧 化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
5.一种场效应晶体管，其包括根据权利要求4所述的无定形氧化 物的有源层和形成为经由栅极绝缘体面向该有源层的栅电极。
6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中该场效应晶体管是 常断类型的晶体管。
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