[发明专利]荧光体及其制造方法以及使用它的发光装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200580038205.8 申请日: 2005-11-08
公开(公告)号: CN101056960A 公开(公告)日: 2007-10-17
发明(设计)人: 山川昌彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝高新材料公司
主分类号: C09K11/08 分类号: C09K11/08;C09K11/59;C09K11/64;C09K11/73;C09K11/78;C09K11/81;C09K11/84;H01J11/02;H01J61/42;H01L33/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沙永生
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 及其 制造 方法 以及 使用 发光 装置
【权利要求书】:

1.荧光体的制造方法,其特征在于,具备将荧光体以100nm~500nm范围内的50nm为单位的各波长激发并测定基于各波长的发光色的工序,以及选择前述基于各波长的发光色分别以xy坐标系表示时x坐标的最大值与最小值的差和y坐标的最大值与最小值的差分别在0.020以下的荧光体的工序,

所述荧光体是选自Eu活化稀土类氧化物荧光体、Eu活化稀土类氧硫化物荧光体、Eu活化稀土类硼酸盐荧光体、Eu活化铝酸盐荧光体、Eu活化卤磷酸盐荧光体、Mn活化硅酸锌荧光体、Eu和Mn活化铝酸盐荧光体、Eu活化碱土类硅酸盐荧光体、Tb活化稀土类硅酸盐荧光体、Tb活化稀土类硼酸盐荧光体、以及Tb活化稀土类磷酸盐荧光体的至少一种。

2.发光装置的制造方法,其特征在于,具备将荧光体以100nm~500nm范围内的50nm为单位的各波长激发并测定基于各波长的发光色的工序、选择前述基于各波长的发光色分别以xy坐标系表示时x坐标的最大值与最小值的差和y坐标的最大值与最小值的差分别在0.020以下的荧光体的工序、至少使用前述所选的荧光体来制作被从激发源放出的紫外线或可见光激发而发出可见光的发光部的工序,

前述荧光体是选自Eu活化稀土类氧化物荧光体、Eu活化稀土类氧硫化物荧光体、Eu活化稀土类硼酸盐荧光体、Eu活化铝酸盐荧光体、Eu活化卤磷酸盐荧光体、Mn活化硅酸锌荧光体、Eu和Mn活化铝酸盐荧光体、Eu活化碱土类硅酸盐荧光体、Tb活化稀土类硅酸盐荧光体、Tb活化稀土类硼酸盐荧光体、以及Tb活化稀土类磷酸盐荧光体的至少一种。

3.如权利要求2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,前述发光部在相对于包含在所述发光部的荧光体的总量的70质量%以上的范围内含有前述x坐标的最大值与最小值的差和y坐标的最大值与最小值的差分别在0.020以下的荧光体。

4.如权利要求3所述的发光装置的制造方法,其特征在于,前述发光装置为选自荧光灯、冷阴极放电灯、等离子显示器和LED灯的1种。

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