[发明专利]电化学器件

权利要求书

1.电化学器件，其包括：

(a)半导体层，其中该半导体是硅或碳化硅，且其中该层具有1至 1000微米的厚度；

(b)在所述半导体层上的TiO₂层，且其中该层具有5纳米至1微米 的厚度；

(c)在TiO₂层上的惰性金属栅，该栅排列为能够施加跨越TiO₂层的 电场；和

(d)在所述半导体层上的欧姆接触。

2.权利要求1的器件，其中所述半导体层是硅。

3.权利要求1的器件，其中所述TiO₂层包括碱土金属氧化物MO， 其最多可达使得该层是MTiO₃的量。

4.权利要求2的器件，其中所述TiO₂层包括碱土金属氧化物MO， 其最多可达使得该层是MTiO₃的量。

5.权利要求1至4任一项的器件，其中所述半导体层具有500至600 微米的厚度。

6.权利要求3或4的器件，其中所述碱土金属氧化物是SrO。

7.权利要求3或4的器件，其中相对于TiO₂的摩尔量，TiO₂层中 MO的量低于5％。

8.权利要求1或2的器件，其中在TiO₂层中不存在MO。

9.权利要求1至4任一项的器件，其中TiO₂层具有100至的厚 度。

10.权利要求1至4任一项的器件，其中所述金属栅是由贵金属制成 的。

11.权利要求1至4任一项的器件，其中所述金属栅排列为能够跨越 TiO₂层施加均匀的电场。

12.在权利要求1至11任一项的器件的TiO₂层表面生成OH自由基 的方法，包括：

(i)使该表面与含H₂O的流体接触；

(ii)跨越器件施加电场。

13.权利要求12的方法，其中跨越TiO₂层施加的电压足以降低对空 穴电流的能障，以使电流能够流动。

14.权利要求13的方法，其中所述电压为至少0.5伏。

15.权利要求12至14任一项的方法，其中所述OH自由基被用于受 污染流体的消毒或解毒。

16.权利要求15的方法，其中该流体被一种或多种选自由化学污染物、 细菌和病原体组成的组的组分污染。