[发明专利]闪光灯退火装置

权利要求书

1.一种系统，包括：

容纳衬底的腔；以及

选择性发光器，所述选择性发光器包括用于生成辐射所述衬底的电磁辐射的 一个或多个光源，所述电磁辐射具有在规定波长范围之外的波长，排除波长在所述 规定波长范围内的电磁辐射，被排除的电磁辐射被所述衬底的一部分以比所述衬底 的其他部分更高的速率吸收或反射。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述一个或多个光源适用于生成 包括具有对应于所述规定波长范围的波长的电磁辐射在内的广谱辐射。

3.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述选择性发光器还包括用于从 所述广谱辐射中滤除具有在所述规定波长范围内的波长的电磁辐射的滤光器。

4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述一个或多个光源包括等离子 灯。

5.如权利要求4所述的系统，其特征在于，所述等离子灯包括外壳，所述外 壳适于作为滤光器操作以滤除波长在所述规定波长范围内的电磁辐射。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述外壳包括氧化铈掺杂的石英。

7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述规定波长范围是从200至350 纳米。

8.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述腔适用于容纳晶片衬底。

9.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述腔适用于容纳具有并入了多 种成分的半导体器件的衬底。

10.如权利要求1所述系统，其特征在于，所述一个或多个光源的至少一个 包括：

当受激发时形成生成电磁辐射的等离子体的气体；以及

封入所述气体的外壳，所述外壳适用于滤除带有在所述规定波长范围内的波 长的电磁辐射。

11.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述外壳包括氧化铈掺杂的石 英。

12.如权利要求10所述的系统，其特征在于，所述规定波长范围是从200至 350纳米。

13.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述选择性发光器还包括：

滤光器，从由所述光源生成的所述电磁辐射中滤除带有在所述规定波长范围 内的波长的电磁辐射以产生经滤光的辐射。

14.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述滤光器滤除具有在200nm 和350纳米之间的波长的电磁辐射。

15.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述光源生成含有所述规定波 长范围的电磁辐射。

16.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述光源包括等离子灯。

17.一种方法，包括：

提供一衬底；以及

将所述衬底在波长在规定波长范围之外的电磁辐射下曝光，排除波长在所述 规定波长范围内的电磁辐射，被排除的电磁辐射是所述衬底的一部分能以比所述衬 底的其他部分更高的速率吸收或反射的电磁辐射。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括激发气体以形 成生成电磁辐射的等离子体。

19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述提供包括提供具有氮化物 隔片的衬底。

20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述提供包括提供具有半导体 器件或变化密度的衬底。

21.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述规定波长范围是从200至 350纳米(nm)。

22.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述曝光包括生成广谱辐射， 所述广谱辐射至少包括带有对应于规定波长范围的波长的电磁辐射；从所述广谱辐 射中滤除带有对应于所述规定波长范围的波长的电磁辐射以产生经滤光的辐射；以 及将所述衬底在所述经滤光的辐射下曝光。

23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述广谱辐射包括具有从200 至800纳米的波长的电磁辐射。