[发明专利]用于化学气相沉积反应器的多气体分配喷射器有效
| 申请号: | 200580030594.X | 申请日: | 2005-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN101090998A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
| 发明(设计)人: | E·A·阿穆尔;A·谷拉瑞;L·卡丁斯基;R·多普哈莫;G·S·唐帕;M·凯兹 | 申请(专利权)人: | 维高仪器股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张兰英 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 化学 沉积 反应器 气体 分配 喷射器 | ||
1.一种化学气相沉积的方法,包括:
(a)将作为多个气流的至少一个前驱气体通过气体分配喷射器内多个间隔 开的前驱入口排放到反应腔室内,以使所述气流具有沿远离所述喷射器朝向设置在 所述腔室内的一个或多个基底的下游方向的速度分量,所述至少一个前驱气体反应 而形成沉积在所述一个或多个基底上的反应沉积物,所述反应沉积物为II-VI族化 合物、III-V族半导体和IV-IV族化合物中之一;而且,同时地
(b)将至少一个与所述至少一个前驱气体基本上不反应的载体气体从所述 喷射器排放到所述腔室内,所述载体气体相对所有前驱气体独立地从屏中排放出, 所述屏由与所述前驱入口不同的开孔形成,所述开孔大致比所述前驱入口小并且大 致比所述前驱入口更靠近地分隔,所述屏在相邻的所述前驱入口之间延伸,这样, 载体气体在每一个所述前驱入口和所有相邻的一个所述前驱入口之间排放。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:围绕沿所述下游方向延 伸的轴线,来转动所述腔室内的所述一个或多个基底。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括:随着离所述轴线的径向 距离而变化至少一个所述气体的每单位面积的质量流量。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,排放至少一个前驱气体的所述步 骤包括:排放第一前驱气体和排放与所述第一前驱气体反应的第二前驱气体。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,排放所述第一和第二前驱气体的 所述步骤包括:通过多个彼此间隔开的第一前驱入口排放所述第一前驱气体,以及 通过散布于所述第一前驱入口的多个第二前驱入口排放所述第二前驱气体,且,排 放所述载体气体的所述步骤包括:排放所述第一和第二前驱入口之间的所述载体气 体。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,排放所述第一和第二前驱气体的 所述步骤包括:通过至少一些所述前驱入口排放所述第一前驱气体和第二前驱气 体,而成为多股同心的气流,每一股同心的气流通过独立的一个所述前驱入口排放, 各个如此同心的气流包括至少部分地包围第一前驱气体流的第二前驱气体流。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,排放第一前驱气体和排放第二前 驱气体的所述步骤至少部分地彼此不同时发生。
8.如权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括围绕沿所述下游方向延伸 的一轴线转动所述腔室内的所述一个或多个基底的步骤,其中,执行排放第一前驱 和排放第二前驱气体的所述步骤,以使所述第一和第二前驱气体中的至少一个具有 随离所述轴线的径向距离而变化的每单位面积的质量流量。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括借助于与至少一些所述入 口中的各入口相连的单独的限流装置、单独地控制至少一些所述气流的流量的步 骤。
10.一种用于化学气相沉积反应器的气体分配喷射器,所述喷射器包括:形成 面向下游方向的内部表面并具有水平范围的结构,在水平间隔开的前驱入口部位处 通向所述内部表面的多个前驱入口,一个或多个前驱气体连接件,以及将所述一个 或多个前驱气体连接件与所述前驱入口连接在一起的一个或多个前驱歧管,所述结 构包括屏,所述屏由与所述前驱入口不同的开孔形成,所述开孔大致比所述前驱入 口小并且大致比所述前驱入口更靠近地分隔,所述屏具有第一和第二表面,所述屏 的所述第二表面形成介于每一个所述前驱入口和所有相邻的一个所述前驱入口之 间的所述内表面的至少一部分,所述结构还形成至少部分地由所述屏的所述第一表 面界定的载体气体歧管、以及与所述载体气体歧管连通的至少一个载体气体连接 件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维高仪器股份有限公司,未经维高仪器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580030594.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





