[发明专利]用于SiC半导体器件的富硅的镍－硅化物欧姆接触

权利要求书

1.制备与碳化硅的欧姆接触的方法，包括：

在碳化硅表面上在一定温度下形成镍和硅的淀积膜，该温度低于这两种元素中的任何一个与碳化硅反应的温度，并且它们各自的比例使得淀积膜中的硅原子分数大于镍原子分数；并且

将镍和硅的淀积膜加热到一定温度，该温度下将形成硅原子分数大于镍原子分数的镍-硅化合物，但该温度低于这两种元素中的任何一个与碳化硅反应的温度。

2.依据权利要求1的方法，包括：

形成硅原子分数大于0.50并且不超过约0.67的淀积膜；以及

加热该淀积膜以形成硅原子分数大于0.50并且不超过约0.67的镍-硅化合物。

3.依据权利要求1的方法，进一步包括将镍-硅化合物退火到高于上述淀积膜的加热温度的温度，并且在其中不存在游离碳的相图区域中。

4.依据权利要求1的方法，其中加热淀积膜的步骤包括加热淀积物以形成化学式为Ni_1-xSi_x的化合物，其中0.5＜x＜0.67。

5.依据权利要求1的方法，包括在约200℃与500℃之间的温度下加热淀积膜。

6.依据权利要求3的方法，包括将镍-硅化合物退火到约400℃与850℃之间的温度。

7.依据权利要求1的方法，其中，形成淀积膜的步骤包括以各自比例的厚度淀积镍层和硅层，以便在淀积膜中产生较大的硅原子分数。

8.依据权利要求1的方法，其中形成淀积膜的步骤包括以各自比例的厚度淀积多个镍层和多个硅层，以便在淀积膜中产生较大的硅原子分数。

9.依据权利要求7或者8的方法，包括以约1.81和3.65之间的硅层厚度与镍层厚度之比淀积镍和硅。

10.依据权利要求7的方法，包括在碳化硅表面上淀积硅层，之后在硅层上淀积镍层。

11.依据权利要求1的方法，其中形成淀积膜的步骤包括以期望的镍和硅的比例在碳化硅表面上溅射淀积镍-硅层。

12.依据权利要求1的方法，包括在掺杂的碳化硅表面上形成淀积膜。

13.依据权利要求1的方法，包括在选自碳化硅体单晶或者碳化硅外延层的碳化硅表面上形成淀积膜。

14.依据权利要求1的方法，包括在具有的多型体选自4H和6H碳化硅多型体的碳化硅表面上形成淀积膜。

15.碳化硅表面上的包括镍层和硅层的硅与镍的淀积膜，其中硅膜厚度与镍膜厚度之比在约1.81和3.65之间。

16.依据权利要求15的硅与镍的淀积膜，包括多个硅层和多个镍层，其中硅膜层的总厚度与镍膜层的总厚度之比在约1.81到3.65之间。

17.依据权利要求15的硅与镍的淀积膜，包括掺杂的碳化硅表面。

18.依据权利要求15或者17的硅与镍的淀积膜，其中，第一硅层在碳化硅表面上，而第一镍层在第一硅层上。

19.半导体结构，包括：

碳化硅层；以及

所述碳化硅层上并且呈现出欧姆特性的接触，所述接触由化学式为Ni_1-xSi_x的组合物形成，其中0.5＜x＜0.67。

20.依据权利要求19的半导体结构，其中所述接触具有的化学式为Ni_0.48Si_0.52。

21.依据权利要求15或者19的半导体结构，其中所述碳化硅具有的多型体选自4H和6H碳化硅多型体。

22.依据权利要求15或者19的半导体结构，其中所述碳化硅包括外延层或者体单晶。

23.依据权利要求19的半导体结构，其中所述碳化硅是p型或者n型。

24.依据权利要求19的半导体结构，具有的电阻率在约10^-3和10^-5ohm-cm²之间。