[发明专利]在图形化硅上制作碲化镉汞无效
| 申请号： | 200580026329.4 | 申请日： | 2005-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101006208A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | L·布克尔;J·W·凯恩斯;J·吉斯;N·T·戈登;A·格拉哈姆;J·E·海尔斯;D·J·哈尔;C·J·霍利尔;G·J·普赖斯;A·J·赖特 | 申请（专利权）人： | 秦内蒂克有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;魏军 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形 化硅上 制作 碲化镉汞 | ||
【说明书】：
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