[发明专利]氢分离基材的制造方法

权利要求书

1.一种氢透过性基材的制造方法，包括：

在第一基材中形成通孔；

通过在所述第一基材的所述通孔中嵌入氢透过性金属而形成组合构件；和

利用包覆法将所述组合构件与第二基材接合。

2.根据权利要求1的方法，其进一步包括：

在所述接合前，通过表面活化法将所述组合构件与所述第二基材的接合面活化。

3.根据权利要求2的方法，其中所述表面活化法包括照射氩离子的方法。

4.根据权利要求1的方法，其中

在所述第一基材中形成多个所述通孔；

所述组合构件的形成是通过将氢透过性金属嵌入所述多个通孔中的每一个中而实现的；

该方法进一步包括：

在所述接合后，将所述氢透过性基材切断使得所述氢透过性金属分离成单件。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述接合前，在所述组合构件和所述第二基材之间设置绝缘层。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述氢透过性基材的表面设置绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述接合后，将所述接合的氢透过性基材的氢透过性金属的周围形成凸状。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第二基材的与所述第一基材的所述通孔对应的部位形成至少一个孔，其中所述第二基材的孔比所述第一基材的通孔小。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第二基材上形成反应气体流通的流道，其中所述反应气体用于所述氢透过性基材中的氢分离反应。