[发明专利]氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作方法无效
| 申请号： | 200580023067.6 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1981381A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 宫本广信;中山达峰;安藤裕二;冈本康宏;葛原正明;井上隆;幡谷耕二 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/338;H01L29/423;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 肖特基 电极 及其 制作方法 | ||
【说明书】：
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