[发明专利]图形化的CNT发射器

权利要求书

1.对纳米微粒场致发射器进行图形化的方法，所述方法包括以下步骤：

提供一种结构，在该结构上将纳米微粒场致发射器图形化；

在所述结构的整个表面上均匀沉积一层纳米微粒材料；

用胶粘带粘贴法从所述结构的所述表面上的不需要纳米微粒材料的区域除去所述的纳米微粒材料层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积是通过选自以下的方法进行的：

喷涂；丝网印刷；电泳沉积；浸涂；喷墨印刷；分散；旋涂；刷涂和它们的任何组合。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米微粒材料包括选自以下的材料：

单壁碳纳米管；双壁碳纳米管；多壁碳纳米管；巴基管；碳纤维；化学改性的碳纳米管；衍生的碳纳米管；金属碳纳米管；半导体碳纳米管；金属化的碳纳米管；石墨；碳须晶和它们的任意组合。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米微粒材料包括选自以下的微粒：

球形状微粒、盘形状微粒、片形状微粒、棒形状微粒、金属微粒、半导体微粒、聚合物微粒、陶瓷微粒、电介质微粒、粘土微粒、纤维、纳米微粒和它们的任意组合。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米微粒材料层的厚度在10纳米-1毫米的范围。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构和所述纳米微粒材料没有暴露于高于约150℃的环境中。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构形成为由多个独立层组成的固态复合结构，采用包括以下步骤的方法施加各独立的层：

提供绝缘玻璃或陶瓷基材；

在所述基材的表面上形成按图形化的层沉积的导电材料。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法还包括以下步骤：

在所述导电材料的所述图形化层的上面形成按图形化的层沉积的电绝缘材料。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，采用标准丝网印刷方法，对所述导电材料进行图形化。