[发明专利]辐射检测装置及方法

权利要求书

1.一种用于检测辐射的装置，包括：

第一集成电路；以及

第二集成电路，所述第二集成电路具有：

一个或多个逻辑组件，所述逻辑组件具有高软差错率以检测导致所述第 一集成电路处的逻辑的软差错的辐射，所述逻辑组件包括：

第一软差错率敏感存储器阵列，用于检测α粒子轰击；

第二软差错率敏感存储器阵列，用于检测中子粒子轰击；以及

一个或多个软差错率不敏感组件，用于分析从所述一个或多个逻辑组件 中接收的数据，所述软差错率不敏感组件包括：

非易失性存储器，用于存储所述第一软差错率敏感存储器阵列和第 二软差错率敏感存储器阵列的预期的软差错率数据；以及

控制逻辑，用于通过比较所接收的数据和所述预期的数据来检验从 所述第一软差错率敏感存储器阵列和第二软差错率敏感存储器阵列接收 的数据。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一软差错率敏感存储器阵 列和第二软差错率敏感存储器阵列包括驱动强度不对称的反相器和锁存器。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一软差错率敏感存储器阵 列对α粒子轰击敏感，而所述第二软差错率敏感存储器阵列对中子粒子轰击敏感。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一软差错率敏感存储器阵 列和第二软差错率敏感存储器阵列的刷新速率受到控制以用作对α和中子轰击的 敏感度控制。

5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述软差错率不敏感组件包括：

用于控制检验所述第一软差错率敏感存储器阵列和第二软差错率敏感存储器 阵列的速率的定时器；以及

用于分析所述第一软差错率敏感存储器阵列和第二软差错率敏感存储器阵列 以确定所述第一软差错率敏感存储器阵列和第二软差错率敏感存储器阵列是否已 暴露在辐射中的控制逻辑。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述软差错率不敏感组件还包括：

输入/输出逻辑；

随机存取存储器；

只读存储器；以及

非易失性存储器。

7.一种用于检测辐射的方法，包括：

为一个或多个存储器阵列将预期的软差错率数据存储在非易失性存储器处； 以及

检验具有高软差错率的存储器阵列的内容以确定其上构造有所述存储器阵列 的集成电路是否已暴露在辐射中，其中通过比较所接收的数据和所述存储在所述非 易失性存储器处的预期的数据，从而以预定间隔检验从所述一个或多个阵列接收的 数据。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括将从所述存储器阵列中读 取的值与先前存储在所述存储器阵列内的已知值进行比较。

9.一种辐射检测器，包括：

集成电路，所述集成电路具有：

具有高软差错率以检测辐射的一个或多个逻辑组件，包括：

第一软差错率敏感存储器阵列，用于检测α粒子轰击；

第二软差错率敏感存储器阵列，用于检测中子粒子轰击；以及

用于分析从所述一个或多个逻辑组件接收的数据的一个或多个软差错率不敏 感组件，包括：

非易失性存储器，用于存储所述第一软差错率敏感存储器阵列和第二软 差错率敏感存储器阵列的预期的软差错率数据；以及

控制逻辑，用于通过比较所接收的数据和所述预期的数据来检验从所述

第一软差错率敏感存储器阵列和第二软差错率敏感存储器阵列接收的数据。

10.如权利要求9所述的辐射检测器，其特征在于，所述第一软差错率敏感 存储器阵列对α粒子轰击敏感，而所述第二软差错率敏感存储器阵列对中子粒子轰 击敏感。

11.如权利要求10所述的辐射检测器，其特征在于，所述第一软差错率敏感 存储器阵列和第二软差错率敏感存储器阵列的刷新速率受到控制以用作对α和中 子轰击的敏感度控制。