[发明专利]锥形单元的金属氧化物半导体高电压器件结构无效
| 申请号： | 200580008214.2 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1930690A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | T·莱塔维克;J·佩特鲁泽洛;M·辛普森 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锥形 单元 金属 氧化物 半导体 电压 器件 结构 | ||
【说明书】：
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