[发明专利]高压金属氧化物半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510118496.3 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1956218A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李治华;陈铭逸 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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