[发明专利]高密度发光二极管阵列无效
| 申请号： | 200510078565.2 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1721756A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | C·M·库谢恩;M·塔克尔;T·特斯诺;R·约翰逊;S·西德维尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V8/00;H05K1/18;F21W131/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 发光二极管 阵列 | ||
【说明书】：
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