[发明专利]内吸杂的异质外延半导体晶片及其制造方法无效
| 申请号： | 200510073150.6 | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1796620A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | M·R·西克瑞斯特;G·M·威尔逊;R·W·斯坦德利 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/00 | 分类号： | C30B29/00;C30B29/06;C30B29/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;秘凤华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内吸杂 外延 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于MEMC电子材料有限公司，未经MEMC电子材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200510073150.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热电联产系统
- 下一篇：通过拜耳法制造具有低有机碳的氢氧化铝
