[发明专利]在体硅和SOI MOS器件中制造无位错应力沟道的结构和方法有效
| 申请号： | 200510055304.9 | 申请日： | 2005-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1691350A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;B·B·多里斯;陈华杰 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | soi mos 器件 制造 无位错 应力 沟道 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
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