[发明专利]电源电路、用其的驱动器IC、液晶显示装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 200510053784.5 申请日: 2005-03-11
公开(公告)号: CN100481195C 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 矢岛秀彦 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电源 电路 驱动器 ic 液晶 显示装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电源电路,其特征在于,包括:

降压电路,其与提供第一电位的第一电源线和提供第二电位的第二电源线连接,并以所述第一电位为基准向第三电源线提供基于所述第一电位和所述第二电位之间的差降压的负极性的第三电位;

升压电路,其与所述第一电源线至第三电源线连接,以所述第二电位为基准向第四电源线提供基于所述第一电位和所述第三电位之间的差升压的正极性的第四电位;

所述降压电路由开关调整器构成。

2.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于,所述开关调整器包括:

感应元件,其一端连接至所述第一电源线;

二极管,其阴极连接至所述感应元件的另一端,其阳极连接至所述第三电源线;

第一开关元件,连接至所述感应元件和所述二极管之间的节点和所述第二电源线,基于时钟信号被开/关控制;以及

第一电容器,设置在所述第一电源线和所述第三电源线之间,与所述感应元件和所述二极管并联连接。

3.根据权利要求2所述的电源电路,其特征在于:

所述第一开关元件是形成在具有三重势阱结构的P型半导体衬底的P型晶体管;

所述P型半导体衬底的最深部的第一层势阱是高耐压N型势阱,在所述第一层势阱内形成的第二层势阱是低耐压N型势阱,在所述第二层势阱内形成P型晶体管的源极逻辑势阱和漏极逻辑势阱。

4.根据权利要求3所述的电源电路,其特征在于:在所述低耐压N型势阱内还设置有N型触点,所述第二电源线与所述源极逻辑势阱和所述N型触点连接。

5.根据权利要求4所述的电源电路,其特征在于,所述P型半导体衬底包括:

高耐压P型势阱,与所述高耐压N型势阱邻接设置;

N型势阱,设置在所述高耐压P型势阱内;

所述二极管由所述高耐压P型势阱和所述N型势阱之间的PN结形成。

6.根据权利要求5所述的电源电路,其特征在于:在所述高耐压P型势阱内还设置有P型触点,所述P型触点与所述第三电源线连接。

7.根据权利要求5所述的电源电路,其特征在于:所述N型势阱通过配线与所述漏极逻辑势阱连接。

8.根据权利要求1所述的电源电路,其特征在于:所述升压电路是电荷泵。

9.根据权利要求8所述的电源电路,其特征在于,所述电荷泵包括:

第二开关元件和第三开关元件,串联连接至所述第一电源线和第四电源线之间,被互补驱动;

第四开关元件和第五开关元件,串联连接在所述第二电源线和第三电源线之间,被互补驱动;

第二电容器,连接至所述第二开关元件和第三开关元件之间的节点以及所述第四开关元件和第五开关元件的节点;以及

第三电容器,连接在所述第三电源线和第四电源线之间。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电源电路,其特征在于:

所述第一电位是接地电源电位,所述第二电位是逻辑电源电路电源电位。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的电源电路,其特征在于,还包括设置在所述降压电路的前级的前置升压电路和用于供给第五电位的第五电源线;

所述第一电位是接地电源电位,所述第五电位是逻辑电源电路电源电位;

所述前置升压电路与所述第一电源线和第五电源线连接,以所述第一电位为基准,将基于所述第一电位和所述第五电位之间的差升压的所述第二电位提供给所述第二电源线。

12.根据权利要求11所述的电源电路,其特征在于:所述前置升压电路由开关调整器或电荷泵构成。

13.一种驱动器IC,其特征在于,包括:

权利要求1所述的电源电路;

扫描线驱动部,基于来自所述电源电路的电压驱动扫描线。

14.一种液晶显示装置,其特征在于,包括权利要求13所述的驱动器IC和液晶显示部,所述液晶显示部包括:

多条扫描线;

多条数据线;

薄膜二极管和液晶元件,串联连接在所述多条扫描线的一条和所述多条数据线的一条之间;

所述驱动器IC连接在所述多条扫描线。

15.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求14所述的液晶显示装置。

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