[发明专利]制造过氧化物交联绝缘层和/或半导体层电缆的方法和设备无效
| 申请号： | 200510005078.3 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN1652262A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 汉斯·瓦尔特·戈切纳 | 申请（专利权）人： | 特勒斯特两合公司 |
| 主分类号： | H01B13/06 | 分类号： | H01B13/06;H01B13/00;H01B7/00 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 过氧化物 交联 绝缘 半导体 电缆 方法 设备 | ||
【说明书】：
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