[发明专利]非易失性存储装置

说明书

技术领域

本发明有关一种储存有操作信息的非易失性存储装置，尤其有关一种根据初始化操作来读出预先储存的操作信息，并保持为可参照的非易失性存储装置。

背景技术

于专利文献1所揭示的非易失性半导体存储装置中，如第9图所示，存储体单元阵列110的初始设定资料区域130是设定成成为资料消除的最小单位的单元区块，并预先设定成作为写入用以决定存储体的操作条件的初始设定的区域。

当施加电源时，开机重置(power-on reset)电路270操作，而控制电路210会检测出该操作。经过用以使电源稳定化的固定等待时间后，设定为读出模式。从地址暂存器220依序递增内部地址并予以输出。然后，藉由列解码器(row decoder)140及行解码器(column decoder)170所选择的初始设定资料区域130的资料，是藉由感测放大器电路150予以读出并转送保持于资料暂存器160，再经由资料汇流排予以转送并保持于初始设定资料闩锁电路230、250及晶片信息资料闩锁电路280。

初始设定资料闩锁电路230是例如第10图所示，由存储所需的数目的闩锁电路LA1至LAm所构成。各个闩锁电路LA具有闩锁本体420与用以读入资料的时脉反相器(clocked inverter)410。初始设定资料闩锁电路250及晶片信息资料闩锁电路280亦为相同构成。

专利文献1：日本2001-176290号公报

发明内容

(发明所欲解决的课题)

然而，于非易失性存储装置中，除了上述专利文献1中所揭示的例如备份信息或调整(trimming)信息此类的初始设定资料外，例如用以设定是否可对扇区或扇区群此类的存储体单元进行重写的写入保护信息亦需预先储存于非易失性存储区域，并藉由电源施加而读出，且以可利用的状态保持于易失性存储区域。

在此，备份信息或调整信息此类的初始设定资料，是于工厂出货时设定于每个非易失性存储装置的操作信息。所谓备份信息，是指不良存储体单元的地址信息，且为当从外部所输入的地址信息与备份信息一致时，用以将存取对象切换成备份存储体单元的信息者。所谓调整信息，是指用以调整内部电路的操作状态的信息。进行从内部电压产生电路所输出的电压值的调整，或各种控制电路中的操作时序的调整等。这些操作信息于电源施加或初始化时，在从非易失性存储体单元所构成的存储体单元阵列110的初始设定资料区域130读出后，在非易失性存储装置处于活性状态期间，需于内部电路中恒常地以可利用的状态被输出。因此，在初始设定资料闩锁电路230、250及晶片信息资料闩锁电路280中，以可恒常参照的状态将所读出的操作信息保持于由闩锁电路LA所构成的易失性存储区域。

相对于此，写入保护功能是用以设定每个将扇区等总括起来的存储体单元群是否可重写的功能，写入保护信息是藉由使用者而保持成可变更设定的操作信息。该情形中，对于每个存储体单元，是根据所输入的重写存取，对应在需要确认存取对象的存储体单元是否隶属于可重写的存储体单元群的信息时来读出即可，故于非易失性存储装置施加电源而成为活性状态的期间，无需具有可恒常参照的状态。只要在根据重写存取的输入来判断可否重写时予以参照即可。

因此，将仅在写入保护信息等的特定条件下才需要的操作信息保持于具有与初始设定资料闩锁电路230、250及晶片信息资料闩锁电路280等相同构成的易失性存储区域，从具备闩锁电路LA等而构成初始设定资料闩锁电路230等的电路规模来考虑是不适当的。

亦即，为了在内部电路中设为可恒常参照，且写入保护信息等的操作信息无需以可恒常参照的状态输出，因此初始设定资料闩锁电路230等的电路构成是在确保电流驱动能力后所构成。确保电流驱动能力的部分，会成为电路大规模化的问题。

当非易失性存储装置朝向大容量化时，可认为被控制能否重写的扇区等的存储体单元群会增大。此时，写入保护信息亦增大。有关于确实保持增大的写入保护信息的易失性存储区域，今后会益发地被要求省空间化，而在藉由上述先前技术的易失性存储区域的电路构成中，会有无法避免占有面积增大的问题。

(解决课题的手段)

本发明是为了解决上述先前技术至少一个问题点而研创者，其目的在于提供一种非易失性存储装置，具备有非易失性存储区域与易失性存储区域，且具备可于电源施加时或初始化时，从非易失性存储区域读出预先储存于非易失性存储区域的操作信息并保持于易失性存储区域时，根据操作信息的属性，以适当参照的形态来保持操作信息的易失性存储区域。