[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)准备半导体晶片的步骤，其中半导体晶片被划分成多个芯片区域且在上述多个芯片区域中分别形成有半导体集成电路，在上述半导体晶片的主面上形成有与上述半导体集成电路电连接的多个第一电极；

(b)准备第一卡的步骤，其中第一卡包括：

形成有第一布线的第一布线衬底；

第一片，形成有用于接触上述多个第一电极的多个接触端子和与上述多个接触端子电连接的第二布线，上述第二布线与上述第一布线电连接，上述多个接触端子的顶端与上述半导体晶片的主面相对而被保持在上述第一布线衬底上；

多个弹簧针，从与安装有上述第一片的第一面相反的一侧的第二面接触上述第一布线衬底，并向上述多个接触端子分别传送电信号；

粘结环，使上述第一片中形成有上述多个接触端子的第一区域从上述第一衬底离开而一面施加张力一面保持；

推压机构，从背面推压上述第一片中的上述第一区域；以及

第一固定衬底，从上述第一面方向固定上述第一布线衬底；

(c)使上述多个接触端子的上述顶端与上述多个第一电极相接触来进行上述半导体集成电路的电检测的步骤，

其中，上述多个接触端子的上述顶端分别在上述第一片的主面上与上述多个第一电极中的对应的电极相对而配置，

上述第一片中包围上述第一区域的第二区域以松弛的状态被保持在上述第一衬底上。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于：

上述第一片的上述第一区域从上述第一衬底离开的距离比上述第一固定衬底的厚度大。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于：

在上述第一片的、离开上述第二布线和上述多个接触端子的位置上设置有一个以上的孔。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于：

在上述(c)步骤中，使上述第一片中的气泡从上述孔向上述第一片外排气。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于：

上述第二布线包括第三布线和形成在上述第三布线的上层并与上述第三布线电连接的第四布线，

在形成有上述第四布线的布线层中形成有不与上述第三布线电连接的第五布线，

在各个上述第三布线上形成有上述第四布线和上述第五布线中的至少一方。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于：

在上述(c)步骤之前还包括：

(d)在第一温度下通过上述推压机构推压上述第一片，并对上述第一片施加第一力来缓和上述第一片本身的张力的步骤，

其中，上述第一温度是能够通过在该温度下对上述第一片施加上述第一力来缓和上述第一片本身的上述张力的温度。

7.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：

(a)准备半导体晶片的步骤，其中半导体晶片被划分成多个芯片区域且在上述多个芯片区域中分别形成有半导体集成电路，在上述半导体晶片的主面上形成有与上述半导体集成电路电连接的多个第一电极；

(b)准备第一卡的步骤，其中第一卡包括：

形成有第一布线的第一布线衬底；

第二固定衬底，安装在上述第一布线衬底的第一面的第三区域中；

第一片，形成有用于接触上述多个第一电极的多个接触端子和与上述多个接触端子电连接的第二布线，上述第二布线与上述第一布线电连接，上述多个接触端子的顶端与上述半导体晶片的主面相对而被保持在上述第二固定衬底上；

多个弹簧针，从与上述第一面相反的一侧的第二面接触上述第一布线衬底，并向上述多个接触端子分别传送电信号；

推压机构，从背面推压上述第一片中形成有上述多个接触端子的第一区域；以及

第一固定衬底，在上述第三区域以外的第四区域中，从上述第一面方向固定上述第一布线衬底；

(c)使上述多个接触端子的上述顶端与上述多个第一电极相接触来进行上述半导体集成电路的电检测的步骤，

其中，上述多个接触端子的上述顶端分别在上述第一片的主面上与上述多个第一电极中的对应的电极相对而配置。