[发明专利]半导体元件的制造方法、以及由此方法形成的半导体元件

权利要求书

1. 一种半导体元件的制造方法，该方法包括：

提供具有表面和第一导电类型的半导体衬底；

在该半导体衬底的该表面之中形成沟槽，以便定义出由该沟槽彼此隔离的多个有源区；

在该沟槽的一部分之下的该半导体衬底中形成掩埋层，其中该掩埋层具有第二导电类型且与该沟槽至少部分地邻接；

在形成该掩埋层之后，在该沟槽中淀积电绝缘材料；

在该多个有源区的一个有源区中形成具有第二导电类型的集电极区；

在该多个有源区的一个有源区之上形成具有第一导电类型的基极结构；以及

在该多个有源区的一个有源区之上形成具有第二导电类型的发射极区，

其中：

该集电极区形成到达该掩埋层的接触。

2. 如权利要求1的所述方法，其中：

该集电极区具有第一电阻率；

该掩埋层具有第二电阻率；并且

第一电阻率大于第二电阻率。

3. 如权利要求1的所述方法，还包括：

在该沟槽中形成间隔结构；以及

在形成该掩埋层之后，去除该间隔结构。

4. 如权利要求1的所述方法，其中：

形成该掩埋层包括：

穿过该沟槽注入具有第二导电类型的掺杂剂。

5. 如权利要求4的所述方法，其中：

形成该掩埋层还包括：

在注入掺杂剂之后并在填充该沟槽之前对掺杂剂进行退火。

6. 如权利要求1的所述方法，其中：

该半导体衬底包括第一类型的半导体区和第二类型的半导体区；

该方法还包括在形成该掩埋层之前，在该第二类型的该半导体区之上形成注入掩模；以及

形成该掩埋层还包括：

在该第一类型的半导体区中的该沟槽的至少一部分之下形成该掩埋层。

7. 如权利要求6的所述方法，其中：

该第一类型的该半导体区包括双极型半导体区；以及

该第二类型的该半导体区包括CMOS区。

8. 如权利要求1的所述方法，其中：

制造该半导体元件包括：

制造该多个有源区之一以便关于穿过该发射极区的中央绘制的垂直线对称。

9. 一种半导体元件的制造方法，该方法包括：

提供具有表面和第一导电类型的半导体衬底，其中该半导体衬底包括多个第一类型的半导体区和多个第二类型的半导体区；

在该半导体衬底的该表面之中形成沟槽，以便定义出由该沟槽彼此隔离的多个有源区；

形成掩埋层组件包括：

在该沟槽中形成多个间隔结构；

在该多个第二类型的半导体区之上形成注入掩模；以及

形成多个掩埋层，该多个掩埋层的每一个掩埋层位于该多个第一类型的半导体区中的该沟槽的至少一部分之下，其中该多个掩埋层具有第二导电类型，与该沟槽至少部分地邻接，并且该多个间隔结构之一用于使该多个掩埋层中的一个掩埋层与该沟槽自对准；

在形成该多个掩埋层之后，在该沟槽中淀积电绝缘材料；

在该多个第一类型的半导体区的每一个半导体区中形成具有第二导电类型的集电极区；以及

在该多个第一类型的半导体区的每一个半导体区之上形成具有第二导电类型的发射极区，

其中：

在该多个第一类型的半导体区的每一个半导体区中的该集电极区形成到达在该多个第一类型的半导体区的一个半导体区中的该掩埋层的接触。

10. 如权利要求9的所述方法，还包括：

在该多个第一类型的半导体区中形成具有第二导电类型的基极区。

11. 如权利要求10的所述方法，其中：

形成该基极区还包括：

在该基极区中形成接触；以及

在该基极区中的该接触位于该沟槽的至少一部分之上。

12. 如权利要求9的所述方法，其中：

该集电极区具有第一电阻率；

该多个掩埋层具有第二电阻率；并且

该第一电阻率大于该第二电阻率。