[发明专利]半导体器件封装及其制造方法无效
申请号: | 200480023276.6 | 申请日: | 2004-08-11 |
公开(公告)号: | CN101375382A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 沙菲杜尔·伊斯拉姆;丹尼尔·K.·劳;拉马里克·S.·桑安东尼奥;阿纳恩·苏巴迪奥;迈克尔·H.·麦克埃里格哈恩;埃德蒙达·G-O·利提立特 | 申请(专利权)人: | 宇芯(毛里求斯)控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/44 | 分类号: | H01L21/44 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李春晖 |
地址: | 毛里求*** | 国省代码: | 毛里求斯;MU |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件封装(50,102,110),包括:
模塑料(54),其至少形成第一封装面(56)的一部分;
半导体器件(14),其至少部分由所述模塑料(54)覆盖,所述半导体器件(14)包括多个I/O焊盘(80);以及
导电材料的引脚框(52,100,112),其至少部分由模塑料(54)覆盖,所述引脚框(52,100,112)包括多条引脚(60),每条所述引脚(60)包括:
插入部分(64),其具有相对的第一和第二末端(66,68),所述插入部分(64)与所述第一封装面(56)间隔开一段距离,
板连接支柱(70),其从靠近第一末端(66)的所述插入部分(64)的延伸出并且终止于所述第一封装面(56),
支撑支柱(74),其与所述板连接支柱(70)间隔开,所述支撑支柱(74)从靠近第二末端(68)的所述插入部分(64)延伸出并且终止于所述第一封装面(56),以及
键合点(78),其形成在所述插入部分(64)的与所述支撑支柱(74)相对的表面上,所述I/O焊盘(80)中的至少一个在所述键合点(78)处被电连接到所述插入部分(64),
其中所述插入部分(64)具有形成在其中、与所述第一末端(66)相邻的凹进(126),并且
在所述板连接支柱(70)的侧表面(124)与所述板连接支柱(70)的末端表面(72)之间的拐角被移除以形成缺口(128),所述缺口(128)具有小于所述距离的高度。
2.如权利要求1所述的半导体器件封装(50,102),其中,所述I/O焊盘(80)中的至少一个被引线键合或载带键合到所述键合点(78)。
3.如权利要求2所述的半导体器件封装(50,102),其中,所述I/O焊盘(80)中的至少一个通过在所述I/O焊盘(80)处引线形 成楔形键合并且在所述键合点(78)处引线形成楔形键合,从而在所述键合点(78)处被电连接到插入部分(64)。
4.如权利要求3所述的半导体器件封装(50,102),其中,所述引线由铝或铝基合金制成。
5.如权利要求1所述的半导体器件封装(110),其中,所述I/O焊盘(80)中的至少一个被直接焊接到所述键合点(78)以形成倒装芯片型连接。
6.如权利要求2所述的半导体器件封装(50,102,110),其中,所述模塑料(54)形成与所述第一封装面(56)相邻的第二封装面(58)的至少一部分,并且与所述板连接支柱(70)的所述末端表面(72)相邻的所述板连接支柱(70)的所述侧表面(124)在所述第二封装面(58)处可见。
7.如权利要求6所述的半导体器件封装(50,102,110),其中,所述缺口(128)从所述板连接支柱(70)的所述末端表面(72)测量具有在0.025mm到0.050mm之间的高度。
8.如权利要求1所述的半导体器件封装(50,102,110),其中,每条所述引脚(60)由材料条带形成,所述材料条带具有设置跨过所述条带的沟道(82)。
9.如权利要求8所述的半导体器件封装(50,102,110),其中,所述沟道(82)填充有所述模塑料(54)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造