[发明专利]光致抗蚀剂组合物用的溶解速率改性剂无效
申请号: | 200480004866.4 | 申请日: | 2004-02-20 |
公开(公告)号: | CN101095082A | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 拉里·F·罗兹;拉里·塞格;布赖恩·L·古多尔;莱斯特·H·麦金托什三世;罗伯特·J·达夫 | 申请(专利权)人: | 普罗梅鲁斯有限责任公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郭国清;樊卫民 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光致抗蚀剂 组合 溶解 速率 改性 | ||
1.一种溶解速率改性剂,其包括:
一种含有重复单元的低聚物,所述重复单元衍生于式A、B、C、D和/或E中的一种或多种单体:
式A 式B
式C
式D
式E
所述重复单元包括衍生于单体的第一重复单元及任选的其他重复单元,所述第一重复单元的单体包括式A和/或式E的氟化酸不稳定基团取代基,所述其他重复单元的单体包括式A、B、C、D或E中的一种或多种,条件是如果式A的单体不存在,那么必须包括式E的单体,如果存在式D或E的单体,那么必须存在至少一种式A、B或C的单体,条件是如果至少一种重复单元衍生于式D或E,那么包括使用自由基催化剂得到低聚物,如果所述重复单元仅衍生于式A、B和/或C的单体,那么包括使用含Ni或Pd的催化剂得到低聚物;
其中m是0~5的整数;Z是-CH2-、-CH2-CH2-、-O-、-S-或-NH-,其中R1、R2、R3、R4中的至少一种取代基独立地是具有1~约10个碳原子并任选地被酸不稳定基团保护的氟化甲醇;其余R1、R2、R3、R4独立地是氢、卤素、或含有1~约20个碳原子的烃基、或具有1~约20个碳原子并在任何氢原子处被O、S、N或Si取代的烃基、或具有1~约20个碳原子的氟化烃基,其中每个碳原子独立地被0、1、2或3个氟原子取代;其中R5、R6、R7或R8中的至少一种独立地含有酸不稳定部分,其余一种或多种R5、R6、R7或R8独立地是氢、卤素、或具有1~约20个碳原子的烃基、或具有1~约20个碳原子并在任何氢原子处被O、S、N或Si取代的烃基、或具有1~约20个碳原子的氟化烃基,其中每个碳原子独立地被0、1、2或3个氟原子所取代;其中R9、R10、R11或R12独立地选自氢原子、具有1~约20个碳原子的烃基、具有1~约20个碳原子在任何氢原子处被O、S、N或Si取代并任选地含有环氧基、羟基、和/或羧酸官能团的烃基;其中Y是具有1~约10个碳原子并任选地被酸不稳定基团保护的氟化甲醇,X是OH、CN、OC(O)R13、C(O)OR13、OR13、N(R13)2,其中R13是含有1~约12个碳原子的直链或支链或环脂族烃基,任选地所述烃基的至少一个碳原子含有1、2或3个氟原子;通过凝胶渗透色谱法测量的所述低聚物的重均分子量(Mw)小于约3,000。
2.如权利要求1所述的溶解速率改性剂,其中Y、R1、R2、R3或R4中的至少一种是式-((CH2)nO)n’-CH2-C(OR’)(CF3)2的氟化基团,其中R’是H或酸不稳定基团,n和n’独立地是0~10。
3.如权利要求2所述的溶解速率改性剂,其中所述酸不稳定基团选自-CH2OCH3、-CH2OCH2CH3、-C(CH3)3、-Si(CH3)3、-CH2COO(t-Bu)、2-甲基降冰片基、2-甲基异冰片基、2-甲基-2-金刚烷基、四氢呋喃基、四氢吡喃基、3-氧代环己酰基、甲羟戊酸内酯基、二环丙基甲基或二甲基环丙基甲基及其组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普罗梅鲁斯有限责任公司,未经普罗梅鲁斯有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200480004866.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:开关装置
- 下一篇:对霜霉病菌引起的洋葱霜霉病的抗性
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备