[发明专利]可程序金属氧化半导体存储电路及其可程序方法有效
| 申请号： | 200410057175.2 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1670860A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 程序 金属 氧化 半导体 存储 电路 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200410057175.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁盘驱动器和刷新方法
- 下一篇：硬过滤嘴件的转送装置和带槽滚筒及转送方法
