[发明专利]当与高度结晶的晶种层结合时在PCMO薄膜上获得可逆电阻转换的方法无效
| 申请号： | 200410049027.6 | 申请日： | 2004-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1581372A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 庄维佛;李廷凯;D·R·埃文斯;许胜籐;潘威 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01C17/00 | 分类号： | H01C17/00;H01C17/14;H01C17/065;H01C7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邰红;孟凡宏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高度 结晶 晶种层 结合 pcmo 薄膜 获得 可逆 电阻 转换 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200410049027.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多元件连接器
- 下一篇：炭疽保护抗原的高水平组成性生产
