[发明专利]阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构的制备方法无效
申请号: | 200410010510.3 | 申请日: | 2004-12-29 |
公开(公告)号: | CN1669920A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 王昕;韩高荣 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C01B33/029 | 分类号: | C01B33/029;C30B29/06;C30B29/62;C30B25/00;B82B3/00;C25D11/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阳极 氧化铝 模板 中一维硅 纳米 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200410010510.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。