[其他]基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法在审
| 申请号： | 101986000000204 | 申请日： | 1986-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1004843B | 公开（公告）日： | 1989-07-19 |
| 发明（设计）人： | 加里·查尔斯·戴维斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 刘元金;罗宏 |
| 地址： | 美国纽约州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 附热熔 粘合剂 集成电路 芯片 复合物 制做 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在硅基底上附有聚醚亚胺硅氧烷的集成电路硅小片组合件的制作方法，此方法包括：
（1）在约2000-7000rpm下，将聚醚亚胺硅氧烷的有机溶剂溶液甩涂到其上表面有着大量的集成电路的硅片的基底上;
（2）起初在约100-120℃的温度下，继之在约180-220℃的温度下，使涂好的聚醚亚胺硅氧烷干燥;
（3）切割硅片，以制备出大批在相应基底上有一层聚醚亚胺硅氧烷薄层的集成电路硅小片的组合件。
2、一种在硅基底上附有热熔粘合剂的集成电路硅小片组合件的制作方法，此方法包括：
（1）在约2000-7000rpm下，将一种热熔粘合剂的有机溶剂溶液甩涂到其上表面有着大量的集成电路的硅片的基底上;
（2）起初在约100-120℃的温度下，继之在约180-220℃的温度下，使涂好的热熔粘合剂干燥;
（3）切割硅片，以制备出大批在相应基底上有一层热熔粘合剂薄层的集成电路硅小片组合件。
3、按照权利要求2的方法，其中将数片集成电路硅小片组合件粘结在氧化铝衬底上，可制成集成电路硅组合件阵列。
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